Как сделать микросхему памяти
Добавил пользователь Алексей Ф. Обновлено: 04.10.2024
Электронная промышленность всего мира уже выпустила и продолжает разработки все новых и новых типов микросхем памяти. Определенные требования, возникающие при изготовлении изделий электронной техники, вызывают потребность в приборах памяти, характеристики которых должны превосходить предшествующие разработки. На сегодня уже имеется широкий выбор микросхем памяти, но ни один тип не может считаться идеальным. Каждый тип памяти имеет не только что-то лучшее по сравнению со своими конкурентами, но и какие-то свои недостатки.
Таблица 1 показывает степень совершенства указанных типов памяти по некоторым показателям.
Динамическое ОЗУ. Динамическая оперативная память сохраняет информацию (лог. 1 или 0) на конденсаторе малой емкости, который входит в состав транзисторной ячейки. Размер ячейки ДОЗУ меньше, чем у СОЗУ, так что общая стоимость единицы памяти меньше. Но конденсаторы динамической оперативной памяти должны постоянно подзаряжаться, чтобы сохранять информацию. Это требует более сложной схемы интерфейса.
Статическое ОЗУ. По существу, это триггерное устройство с цифровым управлением, не требующее ни синхронизации, ни регенерации. Информация сохраняется до тех пор, пока имеется питание. СОЗУ имеет достаточно малое время доступа для чтения и записи, параллельную структуру адреса. Наилучшее применение СОЗУ нашла для памяти, имеющей невысокую плотность, но частый доступ, а также кэш-памяти.
Энергонезависимое СОЗУ (NV SRAM) - единственный блок, который содержит СОЗУ с низким энергопотреблением, энергонезависимый контроллер памяти и литиевую батарею. Когда основное питание становится ниже минимально требуемого для поддержания работоспособности СОЗУ, контроллер памяти в модуле переключает электропитание с внешнего источника на внутреннюю литиевую батарею и защищает от записи СОЗУ. Переходы от основного питания к питанию от литиевых батарей, и наоборот, прозрачны для СОЗУ и делают его истинно энергонезависимой памятью. Такая конструкция объединяет статические преимущества адресуемого СОЗУ - высокую скорость доступа, низкие требования по синхронизации с преимуществами энергонезависимой технологии СППЗУ. Если не стоит вопрос стоимости, то СОЗУ-модули с батарейным питанием от DSC являются идеалом для любого приложения, где традиционное СОЗУ было бы подходящим. Энергонезависимое СОЗУ по выводам совместимо с СОЗУ без батарейного питания.
Псевдостатическое ОЗУ - комбинация динамического и статического ОЗУ. По своей природе устройство является "статическим", не требуя регенерации для сохранения данных. Но для этого в ячейку памяти помещается вся требуемая логика регенерации. Как следствие, псевдостатическое ОЗУ имеет низкую плотность и более высокую стоимость, чем ДОЗУ.
Флэш-память объединяет возможность электрического стирания ЭСППЗУ с ячейкой, подобной программируемому СППЗУ. В результате модифицированная ячейка может быть стерта электрически в блоке с другими ячейками. Эта характеристика позволяет флэш-памяти принимать новый код или информацию в системе.
Электрически перепрограммируемая постоянная память (EEPROM). Недостаток электрически стираемой памяти в том, что невозможна перезапись в системе. Для этого требуется программатор с повышенным напряжением от 12,5 В и выше. Если же необходимо использовать источник питания напряжением 5 В, то для этого следует применять более дорогие схемы EEPROM, которые в своем составе имеют преобразователь, позволяющий при 5 В производить стирание старой информации и запись новой. Такие приборы имеют относительно высокое время доступа для чтения/записи. Ячейки EEPROM редко могут иметь число операций стирание/запись более 10 000. Память EEPROM может устанавливаться в системе и доступна как стандартная СОЗУ.
Стираемая программируемая постоянная память СППЗУ может стираться повышенным напряжением 12,5 В или ультрафиолетовым светом через окошко в верхней части корпуса микросхемы. Обычно эти микросхемы использовались в разработках и потом происходила их замена на более дешевые.
ПЗУ с однократным программированием. Обычно запись данных в ОТР PROM делают один раз. Эти микросхемы памяти одни из самых дешевых.
ПЗУ. Масочное постоянное запоминающее устройство. Является самым надежным хранителем информации. При этом микросхемы памяти не отличаются высоким быстродействием. Если имеется изделие, известны код/данные, то разрабатывается маска и выпускается самая дешевая и надежная память для чтения. Если же вкралась ошибка в информацию, то все запрограммированные микросхемы масочного ПЗУ - брак!
Оценивая указанные в табл. 1 типы памяти, можно отметить следующее. Высокая плотность и низкая стоимость разряда памяти относятся к динамическим ОЗУ. Масочные ПЗУ - наиболее дешевая память только для чтения и не нуждается в подпитке при хранении. Наилучшие показатели у тех типов памяти, которые расположились в середине таблицы. EEPROM обладает многими положительными качествами, но имеет ограниченное число циклов стирание/запись (10 000), длительное время записи и низкая плотность не совсем соответствуют сегодняшнему промышленному спросу.
Для систем, требующих хранения и защиты данных в случае пропадания питания, быстрого доступа чтение/запись, простой схемы управления - наилучшим образом подходят модули энергонезависимой памяти (NV SRAM), выпускаемые корпорацией Dallas Semiconductor (DSC). Рассмотрим данный тип памяти более подробно, поскольку пока по многим показателям (низко потребляемый кристалл СОЗУ, управляющий контроллер питания, литиевая батарейка) он эмулирует почти идеальную память.
Энергонезависимые СОЗУ производства Dallas Semiconductor
Корпорация Dallas Semiconductor является ведущей в мире по технологии производства энергонезависимых статических ОЗУ (NV SRAM). Каждый модуль этих изделий состоит из СОЗУ с низким энергопотреблением, маленькой литиевой батареи и фирменного энергонезависимого чипа управления. Все перечисленные компоненты вместе формируют энергонезависимую память, которая без внешнего питания может сохранять записанную информацию более 10 лет. Время доступа для чтения и записи составляет порядка 70 нс. Все эти особенности подразумевают, что выпускаемые DSC энергонезависимые CОЗУ могут считываться и записываться быстрее неограниченное количество раз и более безопасно, чем любой другой тип энергонезависимой памяти.
Если у потребителя имеются микросхемы СОЗУ и он хочет получить энергонезависимую память, DSC предлагает "разумные" панельки (smart Socket) со встроенными литиевыми батареями и энергонезависимыми чипами управления. Гнезда в панельке двухрядные под корпуса DIP микросхем СОЗУ.
Когда на рынке стали исчезать микросхемы с малым объемом памяти - 2Кх8 и 8Кх8, DSC разработала свои изделия ОЗУ на основе ячейки 6-Т. Типовое значение тока удержания составляет 50 нА! Для вспомогательного питания можно использовать литиевые батарейки, имеют минимальные размеры, а срок хранения данных - более 10 лет при комнатной температуре.
Память должна автоматически защитить запись при обнаружении изменения питающего напряжения - обычно в допуске 10 % от Uпит. Данные должны храниться в памяти в течение всего времени сбоя питания. Возникает вопрос: что будет с данными в то время, когда происходит сбой питания? При падении напряжения питания ниже 10 % уровня Uпит времени для системных вспомогательных функций уже нет. Что же необходимо сделать для сохранения данных, чтобы снижение питания обнаруживалось существенно раньше и микропроцессор мог выполнить вспомогательные функции по защите записи? Один из способов - использование второго напряжения, контролирующего устройство. DSC производит микросхему DS1233B - монитор напряжения на 5 В + 5 % в 3-выводном корпусе ТО-92. Этот монитор выдает активный низкий сигнал сброса (RST) как только обнаружит выход основного питания из пятипроцентного допуска. Активный низкий сигнал может использоваться как запрос на прерывание микропроцессора. Таким образом, микропроцессор получает необходимое время для обслуживания прерывания, и энергонезависимая память защищается от записи. Рисунок 1 иллюстрирует эту ситуацию.
Рис. 1. Формирование сигнала IRQ
Микропроцессоры могут обслуживать прерывания и обрабатывать информацию быстрее, чем спад напряжения на 5 % от своего номинала. Конечно, необходимо, чтобы программное обеспечение, обслуживающее прерывания системы, было сконфигурировано для максимально быстрой идентификации внешнего прерывания.
Предположим некоторые условия, которые могут быть внутри рассматриваемой системы. Принимаем время снижения напряжения от 4,75 (0,0 5 Uпит) до 4 В (процессор работает еще нормально) за 300 мкс.
Одна команда выполняется за 40_6 = 240 нс.
Скорость падения напряжения
Скорость падения напряжения .
Между началом выдачи команды с монитора (5 %) до 10 % от Uпит напряжение понижается на 0,25 В. Это происходит за время .
Следовательно, за это время микропроцессор выполнит .
Конечно, иметь в резерве 416 команд за время, когда микропроцессор может выполнить любые функции по завершению записи и сохранению данных в ОЗУ - это надежный показатель выполнения поставленной задачи. Если количество циклов на инструкцию меньше вышеуказанного или рабочая частота выше 25 МГц, вы имеете дополнительный резерв времени. Используя монитор DS1233B вместе с энергонезависимым СОЗУ, всегда можно получить дополнительное время для организованного системного завершения работы без разрушения памяти. В противном случае резервов вашего микропроцессора может не хватить для успешного завершения работы с СОЗУ. На рис. 2 представлены корпуса, в которых могут размещаться мониторы напряжения DS1233B.
Рис. 2. Корпуса мониторов напряжения DS1233B
Стандартная энергонезависимая память СОЗУ
Выпускаемая DSC энергонезависимая СОЗУ (табл. 2) имеет отдельный литиевый источник энергии и схему управления, которая постоянно контролирует основной источник питания Uпит по условию выхода напряжения из допуска. Когда напряжение Uпит снижается, выходя за пределы допуска, автоматически включается литиевая батарейка, и защита записи предотвращает нарушение целостности данных. Данные сохраняются, защита от записи остается до тех пор, пока Uпит вернется к номиналу, определяемому допуском. После этого литиевый источник выключается и память снова доступна. Поскольку эти блоки памяти основаны на СОЗУ технологии, время доступа для записи и чтения одинаково, а число этих операций не ограничено. Выпускаются приборы в корпусах DIP (600-mil) или Power Cap.
Расширенная энергонезависимая память СОЗУ с монитором батареи
Все функциональные возможности DS12XX выполняются приборами, перечень которых приведен в табл. 3. Но у этой группы СОЗУ имеется достаточно сложный монитор батареи. Раз в 24 часа монитор применяет испытательную загрузку литиевой батареи и делает замер напряжения. Если напряжение батареи просаживается слишком низко, то вывод Battery Warning (BW) активизируется, чтобы указать потребность в замене батареи. Эти модули имеют встроенный элемент для обнуления центрального процессора. Микросхемы серии DS13XX выпускаются только в корпусе Power Cap.
Новые модули Power Cap
Пакетный модуль Power Cap (рис. 3) дает возможность поверхностного крепления корпуса и его содержимого - энергонезависимого ОЗУ. Power Cap модули представляют уникальную конструкцию, состоящую из двух частей - монтируемой площадки ядра модуля, в которой размещены интегральные схемы и, собственно Power Cap с литиевой батареей. Power Cap - это верхняя половина блока, которая содержит контактные пружины, соединяющие литиевую батарею с ядром модуля. Если необходима смена батарейки, то конструкция модуля позволяет легко и быстро выполнить эту операцию.
Рис. 3 Пакетный модуль Power Cap
В течение системной сборки, пока идет пайка поверхности модуля, высокая температура не затрагивает температурно чувствительные литиевые батареи. Когда основание закреплено, пользователь просто зафиксирует Power Cap на базе модуля, чтобы сформировать законченный энергонезависимый СОЗУ-модуль. Пакетный модуль Power Cap имеет высоту 0,25 дюйма, площадь платы ядра составляет 0,96 кв. дюйма. Все приборы в этой упаковке имеют стандартную цоколевку и могут заменять энергонезависимую память других видов в корпусе с соответствующими выводами. Поставки изделий осуществляются в трех видах: модульное ядро, Power Cap, а также весь модуль Power Cap.
Торговая марка Power Cap - DS9034PC (только литиевая батарейка)
Все базовые модули с хронометрами используют Power Cap DS9034PCX (литиевая батарея и контроллер часов). В сборке Power Cap сохраняют плотный захват базы модуля и выдерживают целостность даже при вибрации и ударе. Съем Power Cap осуществляют с помощью отвертки. При установке и съеме (рис. 4, а, б) Power Cap категорически запрещается нажатие на центральную часть верха корпуса. Полный модуль с узлом Power Cap имеет в торговом названии дополнительный индекс Р. Например, базовая часть имеет название DS12xxY/AB/W. Соответственно, модуль будет иметь название DS12xxYP/ABP/WP.
Рис. 4. Установка и съем PowerCap
Выбор модуля энергонезависимой СОЗУ стандартного или расширенного варианта можно сделать, используя табл. 4.
Если вы остановили свой выбор на часах реального времени с энергонезависимым СОЗУ, то в выборе поможет табл. 5.
Хронометры сторожевой схемы с энергонезависимым СОЗУ представлены в табл. 6. Базовая схема DS1386 выпускается в 32-выводном DIP-корпусе и содержит контроллер часов реального времени с полным набором функциональных возможностей: тревога, таймер сторожевой схемы, таймер интервала. Все это доступно в байтовом формате. В DS1386 содержится также кварцевый резонатор, литиевая батарейка и кристалл СОЗУ.
Для модульного блока Power Cap выпускается базовая часть с памятью, монитором и контроллером батарей (к названию добавляется индекс Р), корпус Power Cap с литиевой батареей и кварцевый резонатор на 32,768 кГц.
"Интеллектуальные" панельки
- разрезать металлическую дорожку, обозначенную на рисунке "TOL";
- площадки металлизации, помеченные "Т", соединить перемычкой.
Рис. 5. "Интеллектуальная" панелька DS1213
Модернизация по увеличению объема памяти
- металлическую дорожку, обозначенную "U", разрезать;
- площадки металлизации, обозначенные "G", соединить перемычкой.
Интеллектуальные часы/ОЗУ имеют индекс DS1216B/C/D/H. Эти панельки имеют то же функциональное назначение, что и DS1213, но дополнительно на печатной плате устанавливается 16-выводная микросхема, которая содержит контроллер напряжения и фантомные часы в одном корпусе. Все DS1216 выпускаются с выходом сигнала "Сброс" (RTS) на выводе 1. Если сигнал "Сброс" не требуется, то достаточно металлическую дорожку, помеченную буквами "RES", перерезать.
- разрезать металлическую дорожку помеченную буквой "U";
- площадки металлизации, обозначенные "G", соединить перемычкой.
При этом DS 1216B модернизируются из объема 8Кх8 в память 32Кх8, а DS1216D - из 128Кх8 в 512Кх8.
Маломощные статические ОЗУ
- менее 50 нА при Uпит = 3 В;
- менее 100 нА при Uпит = 5,5 В;
- менее 1 мкА при Uпит = 5,5 В и t° = +60 °С.
Время доступа при 5 В у DS2016 - 100 > 100 нс, у DS2016 - 150 > 150 нс. При снижении питания до 3 В время доступа увеличивается до 250 нс.
Диапазон рабочих температур для данных микросхем -40:+85 °С. Если использовать для питания литиевые батареи, то ограничение диапазона температур происходит из-за того, что при -40 °С существенно снижается емкость батареи. Поэтому длительность работы батареи при отрицательных температурах не нормируется. Однако если не требуется автономная работа СОЗУ с литиевой батареей в течение 10 лет, то температура -40 °С является вполне реальным режимом работы. В этом случае микросхема DS2016 является наилучшим решением вышеуказанного требования. Вообще микросхема DS2016 с объемом памяти 2Кх8 пригодна как для работы с батареей, так и для случая, когда батарейное питание является вспомогательным. Наилучшим образом СОЗУ DS 2016 подходит для "интеллектуальной" панельки DS1213B.
Микросхемы СОЗУ имеют вход разрешение доступа к микросхеме (CE), который можно использовать для перевода в режим минимального потребления. Наличие сигналов управления CE, а также ОЕ позволяет объединять в параллель множество микросхем, получая, таким образом, необходимый объем памяти. Приборы СОЗУ поддерживают по входу и выходу уровни ТТЛ - схем в диапазоне напряжений 2, 7:5, 5 В. При одинаковых объемах памяти СОЗУ и ПЗУ обычно взаимозаменяемы по выводам и, соответственно, во многих применениях могут заменять друг друга.
Микросхемы памяти используются для изготовления модулей оперативной памяти, видеокарт и других компьютерных компонентов. Немногие производители выпускают настоящие чипы памяти. Большинство производителей модулей оперативной памяти покупают микросхемы у производителей микросхем, собирают компоненты с микросхемами и продают их с собственной торговой маркой.
Микросхемы памяти используются на модулях оперативной памяти и графических картах.
Чипы памяти
Микросхемы памяти состоят в основном из кремния, который получается из песка. Процесс превращения песка в кремний включает плавление, резку, полировку и шлифование. Кремний прессуется и нарезается на интегральные схемы.
Интегральные схемы
Кремний превращается в слиток или монокристаллический цилиндр шириной от шести до восьми дюймов. Цилиндр нарезан на пластины толщиной менее одной четверти дюйма. Эти пластины запрессованы в различные части интегральной схемы с помощью компьютеров.
Химическое Расслоение
Контур покрывают слоем стекла, подвергая кремний воздействию температур 900 градусов по Цельсию в течение часа или дольше. После этого устройство покрывается нитридным слоем. Во время этого процесса в схемах создается множество различных текстур.
Ведет
Соединительные штифты или выводы добавляются в процессе, называемом соединением. Булавки сделаны из золота или олова. Эти контакты используются для электрического соединения микросхем с компонентами, которые они будут содержать.
Какой тип батареи использует Pentax K1000?
Pentax представила свою однолинзовую зеркальную пленочную камеру K1000 в 1976 году и продала более 3 миллионов единиц, прежде чем прекратить производство модели в 1997 году. Из-за своей основной .
Какой тип памяти теряет свои данные при выключении компьютера?
Ваш компьютер имеет различные виды памяти, некоторые из которых сохраняют свои данные при отключении питания, а некоторые - нет. Компьютерные ученые называют прежний вид памяти .
Как узнать, какой тип почтового сервера у меня есть
Существует три основных почтовых сервера, которыми пользуется большинство людей: системная электронная почта, электронная почта POP3 или клиента или сетевая электронная почта. Работаете ли вы дома или хотите проверить .
В приведенной статье описан способ получения информации с мобильного устройства при помощи самого сложного с технологической точки зрения метода — Chip-off. На конкретном примере рассмотрены достоинства и недостатки данного метода.
Введение
Данный метод основан на выпаивании чипа памяти из мобильного устройства, после чего с помощью специального оборудования и программного обеспечения считываются данные. Полученные данные в последующем нужно обработать.
Chip-off является самым сложным методом извлечения данных из мобильных устройств. Но с его помощью возможно извлечь данные даже из таких устройств, откуда это сделать, кажется, невозможно.
Все eMMC могут работать и на шине 1-bit. Однако в таком случае извлечение данных занимает много времени. Поэтому для извлечения данных из eMMC-чипов необходимо оборудование, как и для извлечения данных с SD-карт.
Рисунок 1. Чип памяти
Плюсы данного метода заключаются в возможности восстановления данных при сильном повреждении мобильного устройства. Стоит отметить, что у данного метода есть и минусы:
- для извлечения чипа требуется полная разборка устройства: это долго, а также зачастую приводит к потере работоспособности устройства;
- требуется дорогостоящее оборудование и достаточно дорогое ПО;
- отечественная практика при проведении КТЭ показывает, что должностные лица, осуществляющие следствие в рамках уголовного дела или проверки, скептически относятся к методу Chip-Off и редко идут на разрешение эксперту подобных мер;.
Извлечение информации с мобильного устройства методом Donator
Метод заключается в том, что из поврежденного мобильного устройства извлекается чип памяти и устанавливается в точно такое же исправное мобильное устройство. При этом решается сразу несколько сложных задач, с которыми пришлось бы столкнуться, используя метод Chip-off.
Перепайка чипа — очень сложная и трудоемкая работа. Существует вероятность стирания данных из-за воздействия высоких температур на чип или его механическое повреждение. Также нельзя исключать, что производитель мобильного устройства использует аппаратную защиту, которая при замене чипа памяти в устройстве сотрет все данные.
Перед тем как проводить исследование поврежденного мобильного устройства, целесообразно использовать аналогичное устройство, для этого необходимо поменять их чипы памяти местами и посмотреть на реакцию устройств. При использовании данного метода необходимо оборудование для реболлинга (инфракрасная паяльная станция) — это процесс восстановления шариковых выводов электронных BGA-компонентов. BGA — это разновидность корпуса интегральных микросхем, поверхностно монтируемых на электронной плате. BGA-выводы представляют собой шарики из припоя, нанесенные на контактные площадки с обратной стороны микросхемы.
Рисунок 2. Чип с шариковыми выводами для BGA
При исследовании поврежденного мобильного устройства следует обращать внимание на конструкцию его системной платы.
Например, известен случай, когда перед специалистами стояла задача исследования памяти телефона Samsung i9300, в который попала вода. Мобильный телефон с признаками окисления. Однако после демонтажа телефона было установлено, что системная плата состоит из нескольких частей. Часть системной платы с микросхемой памяти пострадала от воздействия среды меньше всего.
Для извлечения данных из телефона нужно использовать такой же экспериментальный телефон: заменить в экспериментальном телефоне часть системной платы с чипом памяти на часть, извлеченную из поврежденного телефона, и считать данные.
Специалист, собирающийся извлечь данные из чипа памяти мобильного устройства, должен пройти четыре этапа:
Извлечение чипа
Извлечь чип относительно просто: в большинстве случаев достаточно нагреть чип потоком горячего воздуха из паяльной станции и отделить чип от системной платы. На этом этапе очень важно не перегреть чип (это приведет к стиранию данных) и не повредить его механически. Повышать температуру горячего воздуха необходимо постепенно. Максимально допустимый порог — 380° С.
Рисунок 3. Нагрев чипа памяти при помощи паяльной станции
Если чип залит смолой, то для ее отделения можно использовать два метода:
- Химический: удаление смолы нагретым до 50° С ацетоном или диметилфомамидом.
- Термический: потоком горячего воздуха системная плата разогревается до 200° С, механически счищается максимальное количество смолы.
После этого чип разогревается до 255-260° С и механически отделяется от платы.
Рисунок 4. Извлечение чипа памяти после предварительного нагрева
Извлечение данных из чипа памяти
Данный этап не сложен при условии, что в распоряжении есть программатор с адаптером под нужный тип форм-фактора BGA-чипа. Хороший программатор с большим количеством адаптеров под различные BGA-чипы стоит около 70 тыс. руб.
На Aliexpress можно найти комплекты адаптеров для вычитывания данных из BGA-микросхем. Основное достоинство данных комплектов — это низкая цена. Из недостатков — возможность изменения данных в чипе в момент подключения или в процессе извлечения данных, а также отсутствие технической поддержки. Пример адаптера можно посмотреть тут.
Рисунок 5. Пример дешевого адаптера на Aliexpress
Для оценки дампа, полученного на данном этапе, зачастую используют следующий тест:
Любое мобильное устройство содержит графические файлы. Это могут быть файлы, созданные пользователем, или графические файлы программного обеспечения. Принято считать, что данный этап был выполнен неправильно, если из полученного дампа нельзя восстановить графические файлы (или фрагменты изображений) размером более 2 Кбайт.
Наиболее мощной утилитой для анализа дампов микросхем памяти является UFED Physical Analyzer. Данное программное обеспечение содержит большое число готовых решений для анализа дампов памяти мобильных устройств. Также можно самостоятельно формировать алгоритм исследования дампа, используя готовые модули этой программы.
Выводы
В статье описан способ использования метода Chip-off на примере мобильного устройства. Применение данного метода позволит специалисту получать информацию с мобильного устройства в случае если использование интерфейса отладки JTAG не дало нужный результат.
Однако стоит отметить, что данный способ является сложным и требует от специалиста определенных навыков.
SDRAM: Определение
Микросхемы SDRAM: Физическая организация и принцип работы
Схема обращения к ячейке памяти в самом общем случае может быть представлена следующим образом:
В современных микросхемах SDRAM схема обращения к ячейкам памяти выглядит аналогично. Далее, в связи с обсуждением задержек при доступе в память (таймингов памяти), мы рассмотрим ее более подробно.
Микросхемы SDRAM: Логическая организация
Модули SDRAM: Организация
Модули памяти: Микросхема SPD
Тайминги памяти
Схема доступа к данным микросхемы SDRAM
1. Активизация строки
2. Чтение/запись данных
3. Подзарядка строки
Соотношения между таймингами
В заключение этой части, посвященной задержкам при доступе к данным, рассмотрим основные соотношения между важнейшими параметрами таймингов на примере более простых операций чтения данных. Как мы рассмотрели выше, в самом простейшем и самом общем случае — для пакетного считывания заданного количества данных (2, 4 или 8 элементов) необходимо осуществить следующие операции:
1) активизировать строку в банке памяти с помощью команды ACTIVATE;
2) подать команду чтения данных READ;
3) считать данные, поступающие на внешнюю шину данных микросхемы;
В то же время, минимальному времени активности строки (от подачи команды ACTIVATE до подачи команды PRECHARGE, tRAS), по его определению, как раз отвечает промежуток времени между началом первой и началом четвертой операции. Отсюда вытекает первое важное соотношение между таймингами памяти:
где tRCD время выполнения первой операции, tCL второй, (tBL — (tCL — 1)) третьей, наконец, вычитание единицы производится вследствие того, что период tRAS не включает в себя такт, на котором осуществляется подача команды PRECHARGE. Сокращая это выражение, получаем:
Понадобилось мне тут вычитать eeprom приборки VDO, то что он легко вычитывается KKL шнурком я в курсе :-) Программатора для этих флешек у меня не было. Полазив по сусекам нашел программатор USBASP, это программатор AVR микроконтроллеров, стоит всего 90 руб. Вспомнил что где то читал что его легко превратить в программатор spi, i2 и microwire флешек банально сменой прошивки. Эти флешки используются в приборках и практически во всех блоках управления двигателем. То что надо, перекрывает почти все мозги и приборки.
Вообще считать – записать eeprom обычно надо для того что б вытянуть пароль иммо, отключить иммо, скорректировать в мозгах вин номер и логин иммо, восстановить eeprom после не удачной прошивки и окирпичивании устройства… В общем полезный зверек, тем более не везде можно это сделать софтово.
Для начала берем вот такой программатор.
Смотрим что он поддерживает в интересующем меня диапазоне машин. А поддерживает практически все :-) Все приборки и почти все блоки управления… Имею ввиду установленные в них микросхемы памяти.
Вот допустим модели мозгов Audi, зелеными галочками пометил что поддерживает.
Приступим к работе с ним.
У меня задача вытянуть eeprom из приборки VDO, узнать пароль иммо и при необходимости залить вытянутый дамп в другую сохранив калибровки стрелок и привязанные ключи. Почему я не делаю это софтово? Очень просто, приборка радостно сгорела с дымком и все такое. Кирпич в общем :-) В таких вот случаях без программатора не обойтись.
Берем приборку. Как разобрать писать не буду и так все знают :-)
Вон она. Флешка с eepromом. 93С86…
Выпаиваем ее по быстрому…
Подключаем в соответствии со схемой. Схема разнится от типа флешки. У меня в VDO стоит microwire 93LС86… Значит по второй схеме…
Так как панельки у меня под SMD8 нет (заказал), то сделаю по быстрому переходник.
Возьму кусочек шлейфа, разделаю, нанесу цветовые метки.
И банально подпаяю, благо делов на минуту… Не очень фотогенично зато надежно :-)
Напряжение питания выбираем в соответствии с даташитом на микросхему. Программатор выдает или 3.3v или 5v, переключается перемычкой. В моем случае любое, так как микросхема может работать в диапазоне 2.5-5.5 вольт.
Теперь можно подсоединить к компу и начать процесс считывания.
Запускаем программу. Смотрим что б был выбран программатор usbasp. Выбирает тип микросхемы с которой будем работать.
Далее все просто. Нажимаем считать. Идет процесс. Все считано.
Вот почти и все. EEPROM считан. Но есть одна тонкость, считан он правильно но не совсем. При чтении прошивки из EEPROM 93с86 байты в словах перевернуты. Например первое слово 02 03 а должно быть 03 02. Так как проект этого софта не коммерческий то он очень простой и в нем нет опции intel/motorola с которой сразу правильно. Но это не беда :-) Сохраняем файл.
Теперь запускаем редактор WinHex, открываем нем файл нашего eeprom и делаем ему свап.
Вот так:
Правка – Модифицировать данные
Вот и все, наш eeprom в нужном нам виде предстает :-)
Ну и сохраняете его. В случае с приборкой VDO иммо3 можете на вин номер ориентироватся, если он стал правильно отображается то все правильно мы сделали
Теперь пароль на иммо вытянуть надо. Тут можно руками и все такое но на много проще сделать это с помощью всеми любимой программы, а именно VAG EEPROM Programmer.
Открываете полученный файл eeprom и в нем и сразу все что надо видите :-)
Можно или ручками перенести данные в новую приборку а можно этот дамп залить со всеми калибровками и шкаламии ключами. Ну и пробег можете подкрутить пока законом не запретили ;-)
Вот так все просто :-)
Читайте также: