Как сделать кремний mindustry

Добавил пользователь Владимир З.
Обновлено: 04.10.2024

MINDUSTRY как изучать технологии, у меня 1000 меди, я немогу ничего иследовать в дереве технологий, пишет тип всего 2, что делать?

Там не только медь требуется для изучения, но и другие ресурсы. На начальной локации доступны только медь и свинец (из тех, что можно добыть простыми бурами) - потому для продвижения придётся открывать другие локации, где можно достать всё новые и новые ресурсы. Ну и остальное придётся не просто бурить, но и плавить в различных печах из базовых ресурсов.

Этот ресурс предоставляет полезную информацию о комбинациях турелей, боеприпасов и статусных эффектов.

Если вы предпочитаете формат Steam, а не Google Таблицы, я приведу здесь значения в примечаниях. Вы также можете найти это руководство на Reddit. Вот ссылки:

Материалы:

дуэт: 2x множитель боеприпасов

залп: 2x множитель боеприпасов

разброс: 1,8 диаметра плитки, 4-кратный множитель боеприпасов

разброс: Frag: 6, Damage: 5, Total extra Frag dmg (добавлено): 30 | 2,5 плитки в диаметре, 5-кратный множитель боеприпасов

циклон: Frag: 6, Damage: 5, Total extra Frag dmg (добавлено): 30 | 2 плитки в диаметре, 3-кратный множитель боеприпасов

дуэт: 4-кратный множитель боеприпасов

град: 2,3 диаметра клетки, 2x множитель боеприпасов, отталкивание 0,8

залп: 4-кратный множитель боеприпасов

пульсация: диаметр плитки 2,3, множитель боеприпасов 2, отбрасывание 0,8

предохранитель: Пронзание: урон прекращается на расстоянии вместо контакта с врагом | 4-кратный множитель боеприпасов

залп: 4-кратный множитель боеприпасов

предохранитель: Пронзание: урон останавливается на расстоянии вместо контакта с противником, броня игнорируется | 5-кратный множитель боеприпасов

призрак: Пронзание (x2): урон прекращается в конце удара второй пули, броня игнорируется | 2x множитель боеприпасов, отталкивание 0,7

разброс: 3 клетки в диаметре, 5-кратный множитель боеприпасов

дуэт: Самонаведение: разумно ищет врагов | 5-кратный множитель боеприпасов

град: Самонаведение: разумно ищет врагов | 2,3 диаметра плитки, 3 патрона на раунд, 0,8 отталкивания

залп: Самонаведение: разумно ищет врагов | 5-кратный множитель боеприпасов

рябь: Самонаведение: разумно ищет врагов | 2,3 диаметра плитки, 3x множитель боеприпасов, отталкивание 0,8

пульсация: Frag: 6, Damage: 5, Total extra Frag dmg (добавленный): 30 | 3,2 диаметра плитки, 2 патрона на патрон, 1 отбрасывание

циклон: Frag: 6, Damage: 5, Total extra Frag dmg (добавлено): 30 | 5 плиток в диаметре, 2x множитель боеприпасов

swarmer: Homing: разумно ищет врагов, Lightning: 10 урона (x2, добавлено) | 3. 1 диаметр плитки, 2-кратный множитель боеприпасов

циклон: Молния: 13 урона (x2, добавлено) | 4,7 диаметра плитки, 5-кратный множитель боеприпасов

swarmer: Blasted: ничего не делает сам по себе, Homing: разумно ищет врагов | 3,7 диаметра плитки, 4-кратный множитель боеприпасов

рябь: Blasted: ничего не делает сам по себе | 4,2 диаметра плитки, 4х множитель боеприпасов, отталкивание 0,8

циклон: Blasted: ничего не делает сам по себе | 7,5 диаметра плитки, 5-кратный множитель боеприпасов

Вода (в основном просто необходимое количество, этот список — все остальное):

волна: Мокрый: замедляет цель до 94% скорости | 0,7 отталкивания

цунами: Мокрый: замедляет цель до 94% скорости | 1.7 отбрасывание

расплавление: Пронзание: урон останавливается на расстоянии вместо контакта с врагом, игнорирует броню, Зажигательный: вызывает пожары

Криофлюид (в основном требуется только количество, этот список — все остальное):

волна: Замораживание: замедляет цель до 60% скорости, делает цели уязвимыми для 25% большего урона | 0,55 отбрасывание

цунами: Замораживание: замедляет цель до 60% скорости, делает цели уязвимыми к 25% большему урону | 1.3 отбрасывание

meltdown: Pierce: урон останавливается на расстоянии вместо контакта с противником, игнорирует броню, Incendiary: вызывает пожары (хотите вы их или нет)

волна: Таяние: замедляет цель до 80% скорости, делает цели уязвимыми для 25% большего урона, наносит 18 дпс (добавлено) | 0,55 отбрасывание

цунами: Таяние: замедляет цель до 80% скорости, делает цели уязвимыми для урона на 25% больше, наносит 18 дпс (добавлено) | 1.3 отбрасывание

wave: Tarred: замедляет цель до 60% скорости | 0,55 отбрасывание

цунами: Просмоленный: замедляет цель до 60% скорости | 1.3 отбрасывание

lancer: Pierce: урон останавливается на расстоянии вместо контакта с врагом, игнорирует броню | 2x множитель боеприпасов

arc: Shocked: ничего не делает сам по себе | 2x множитель боеприпасов

сегмент: Относится к выстрелам в секунду, нейтрализует пули

Несколько замечаний:

Турели, выделенные синим цветом, основаны на AOE.

Количество кадров в секунду никогда не превышает 60. Поскольку FPS ограничен 60, это предел.

Для Cyclone в V7 значение DPS подскакивает до 4560.

На этом графике предполагается, что левый столбец сначала используется как согласованная базовая линия, а затем дополнительный эффект применяется один раз из верхней строки.

Красные квадраты: отменяет аффект

Blasted -> Freezing: сначала необходимо заморозить; взрывной эффект не длится долго

В шоке -> Мокрый: сначала нужно намокнуть; шокирование длится недостаточно долго

Смола -> Таяние: цель больше не замедляется, таяние длится дольше.

Таяние -> Смолистое: Таяние длится дольше.

Горение / смола: каждый раз, когда горящая цель поражена смолой, она наносит 8 проникающих повреждений (игнорирует броню), цель больше не замедляется, горение длится дольше

Замораживание -> Blasted: Когда замораживающая цель поражена патронами Blast Compound, она наносит 18 проникающих повреждений.

Мокрый -> Замораживание: когда цель мокрая, шок наносит 14 колющего урона.

tag. * * If you do not want to deal with the intricities of the noscript * section, delete the tag (from ). On * average, the noscript tag is called from less than 1% of internet * users. */-->

Политехникум

Производство микропроцессоров 1: от песка до кремния

Василий Панюшкин

1. Получение кремния из кварца

Кремний – второй по распространенности элемент в земной коре после кислорода[i]. По массе он составляет 27.7% земной коры. В природе он обычно встречается в виде сложных силикатов, то есть соединений оксида кремния с оксидами металлов, составляющих до 90% массы земной коры, а также, более редко, в виде чистого SiO₂, кварца, Рис. 1[ii]. Тот же диоксид кремния, только мелкокристаллический, является основным компонентом обычного песка.

Именно переработкой такого песка и получают кремний, используемый в промышленности. Самым распространенным современным методом получения элементного кремния является восстановление диоксида кремния коксом в дуговых электрических печах, Рис. 2[iii]:

Смесь песка с коксом поступает в кратер печи, где она нагревается до 2000°С электрической дугой, образующейся между углеродными электродами. При таких температурах углерод кокса и электродов взаимодействует с оксидом кремния, превращаясь в газообразный монооксид углерода, и восстанавливает песок до элементного кремния:

SiO₂ + 2C → Si + 2CO

Получающийся расплавленный кремний стекает через специальное отверстие внизу печи. После первичной очистки от шлака и газов, кремнию дают остыть, а потом дробят до нужного размера. В результате, в зависимости от используемых на производстве методов очистки, получается кремний либо технической (95 – 98%)[iv] либо металлургической (98 – 99.9%) чистоты, Рис. 3[v]. Основными примесями в получаемом кремнии являются углерод и другие элементы, содержавшиеся в исходном кремнеземе, такие как бор, фосфор, алюминий¸ железо[vi].

Главным побочным продуктом такого процесса является раскаленная смесь монооксида углерода и паров кремния. После выхода из печи полученные газы охлаждают, нагревая водяной пар, который далее используется для генерации электроэнергии, значительно снижая затраты на производство. Охлажденные же газы фильтруют, конденсируя кремниевые пары и получая дополнительно еще около 300 кг кремниевого конденсата на каждую тонну произведенного металлического кремния[vii].

2. Очистка технического кремния через силаны

Большая часть кремния технической чистоты используется далее в металлургических производствах, в качестве компонента сплавов, например, бронзы, при выплавке чугуна и сталей, а также в качестве легирующего элемента или модификатора свойств металлов. Только небольшая часть металлургического кремния очищается дальше для использования в полупроводниковой промышленности.

Очистка такого кремния происходит следующим образом. Измельченный в порошок металлургический кремний смешивают с соляной кислотой в отсутствие воды при 300 °С в специальном реакторе и получают трихлорсилан SiHCl₃.

В ходе этой реакции такие примеси, как Fe, Al, и B, образуют свои галоидные соединения (FeCl₃, AlCl₃, и BCl₃). Низкая температура кипения SiHCl₃, составляющая 31.8°С, используется для его очистки от примесей дистилляцией. В получившемся таким образом SiHCl₃ концентрация электрически активных примесей, таких как Al, P, B, Fe, Cu или Au, составляет меньше одного атома на миллиард атомов кремния[viii].

Для восстановления кремния в технологиях, использующих трихлорсилан, в основном применяется Сименс-процесс (называемый так из-за того, что в свое время был разработан компанией Siemens): в протоке смеси газообразных силанов и водорода на поверхности нагретых до 650−1300°С кремниевых стержней (либо крошек в кипящем слое) происходит восстановление силана и осаждение свободного кремния[ix].

Эта реакция протекает в больших вакуумных камерах в течение 200−300 часов, в результате чего образуются бруски ультрачистого поликристаллического кремния диаметром 150−200 мм, Рис. 4[x]. Образующиеся в ходе реакции газообразные продукты уносятся протоком непрореагировавшей парогазовой смеси и после очистки и разделения могут быть использованы повторно.

Также иногда применяют другие модификации этого метода, использующие разложение силана SiH₄, тетрахлорсилана SiCl₄ или других галогенидов кремния, таких как фторид SiF₄. Они бывают удобными для удаления некоторых специфических примесей, а также, благодаря различным температурам кипения разных силанов, могут быть более выгодными по энергоемкости и материалоемкости по сравнению с Сименс-процессом[xi]. Тем не менее, на сегодняшний день основным методом получения поликристаллического кремния является именно восстановление трихлорсилана.

3. Получение монокристаллического кремния

Самым известным методом получения монокристаллического кремния высокой чистоты является метод Чохральского[xiv].

Метод был разработан польским химиком Яном Чохральским и первоначально использовался им для измерения степени кристаллизации металлов (олово, цинк, свинец).

Выращивание монокристаллов методом Чохральского происходит следующим образом, Рис. 5[xvi]:

Дробленый поликристаллический кремний (шихту) закладывают в кварцевый тигель.
В установке создается атмосфера с необходимыми параметрами. Для монокристаллического кремния – это нейтральная аргоновая атмосфера с давлением не более чем 1/25 атмосферного. Изменяя давление и состав атмосферы можно регулировать содержание летучих легирующих компонентов в получающемся монокристалле.
Навеска шихты нагревается до температуры порядка 1500 ˚С, расплавляется, при этом подвод энергии ведется преимущественно снизу и с боков контейнера. Плавление и дальнейшее выдерживание расплавленного кремния производится в соответствии с определенными условиями, необходимыми для стабилизации потоков и равномерного распределения температуры.
Далее затравочный монокристалл, закрепленный на подвеске, опускают вниз и приводят в контакт с поверхностью расплава, где он оплавляется для удаления дефектов и обеспечения равномерного роста кристалла.
После этого начинается вытягивание кристалла наверх в холодную зону, Рис. 6. Размер получаемого кристалла регулируют, изменяя температуру расплава и скорость вытягивания. Также нужно учитывать, что при выращивании кристаллов из тигля происходит загрязнение расплава материалом тигля. Так, для кремния, выращиваемого из кварцевого тигля, главными загрязняющими элементами будут содержащиеся в кварце кислород, бор, фосфор, алюминий и железо. С другой стороны, в расплав также можно добавлять и легирующие компоненты, изменяющие в нужную сторону полупроводниковые свойства получаемого монокристалла. Интересно, что примесный кислород, попадающий в кристалл из кварца тигля, предотвращает загрязнение монокристалла атомами металлов, негативно влияющих на полупроводниковые свойства кремния, а также увеличивает его прочность.

Для обеспечения более равномерного распределения температуры и примесей по объему расплава затравочный кристалл и тигель с расплавом вращают, причем обычно в противоположных направлениях. Несмотря на это, вращения в заведомо неоднородно нагретой среде всегда приводят к появлению на поверхности слитка мелкой винтовой нарезки. Более того, в случае неблагоприятных условий роста, помимо винтовой нарезки на поверхности, сам слиток может начать расти в форме штопора. Аналогичная картина и с распределением примесей: несмотря на вращения, вдоль фронта кристаллизации всегда остается неподвижная область расплава переменной толщины, в которой перенос примесей осуществляется медленно, исключительно за счет диффузии. Это обусловливает неравномерность распределения компонентов расплава по диаметру слитка.

С другой стороны, метод Чохральского отличается наличием большого объема расплава, который по мере роста слитка постепенно уменьшается за счет формирования монокристалла. При росте кристалла расплав постепенно обедняется компонентами, интенсивно встраивающимися в кристалл, и обогащается компонентами, оттесняемыми при росте кристалла. По мере роста концентрации компонента в расплаве его концентрация повышается и в кристалле, поэтому распределение компонентов по длине слитка неравномерно (для кристаллов кремния характерно повышение концентраций углерода и легирующих примесей к концу слитка).

После вытягивания кристалла нужного размера, температуру повышают, скорость вытягивания увеличивают, в результате кристалл сужается, после чего производится отрыв слитка от расплава и его постепенное охлаждение.

Все режимные параметры каждого из этапов процесса являются, как правило, ноу-хау конкретного производителя. В результате получаются цилиндрические слитки моно- или поликристаллической структуры с диаметром до 40 см, Рис. 7.

Несмотря на то, что метод Чохральского повсеместно используется для выращивания подложек в промышленных масштабах, полученный с его помощью кремний обладает некоторыми недостатками, которые не желательны, если ваша цель — максимально возможный КПД, как, например, в лабораториях или при изготовлении элементов для солнечных батарей.

Подложки Чохральского содержат большое количество кислорода. Кислород уменьшает время жизни неосновных носителей заряда, таким образом снижая напряжение, ток и КПД. Кроме того, при больших температурах кислород или соединения кислорода с другими веществами могут стать активными, что делает подложки чувствительными к высокотемпературной обработке. Чтобы избавиться от этих проблем, используют метод зонной плавки[xvii].

Обработке таким методом, как и в случае с методом Чохральского, подвергается поликристаллический кремний солнечного или электронного качества, полученный в результате силановой очистки. Суть метода заключается в том, что область, расплавленная с помощью индукционной катушки, медленно движется вдоль поликристаллического кремниевого слитка, Рис. 8. Примеси при этом не кристаллизируются, а концентрируются в расплавленной области. Также из-за отсутствия примесей в пройденной области, слиток может формировать идеальный монокристалл, если в его начало поместить затравочный кристалл для инициации направленного роста. Таким образом, после прохождения катушки, примеси оказываются собранными в одной части получившегося монокристалла, которую потом удаляют[xviii].

После этого выращенные монокристаллы кремния подвергаются механической обработке. Как правило, механическая обработка слитков кремния ведется с использованием алмазного инструмента: ленточных пил, пильных дисков, шлифовальных профилированных и непрофилированных дисков, чаш. На текущий момент в оборудовании наблюдается постепенный переход с ленточных пил на проволочную резку алмазно-импрегнированной проволокой, а также проволочную резку стальной проволокой в карбид-кремниевой суспензии.

При механической обработке сначала из слитка вырезают части пригодные (по своим структурным, геометрическим и электрофизическим свойствам) для изготовления приборов. Затем монокристаллический кремний, предназначенный для изготовления электронных приборов (электронный кремний), подвергается калибровке под заданный диаметр[xiii]. После предварительной подготовки слиток нарезается на пластины диаметром до 45 см и толщиной в несколько сот микрометров[xix].

Кремень представляет собой сырой материал, который может быть получен при добыче такого блока, как гравий. Он является достаточно полезным материалом, ведь с его помощью удастся обзавестись огромным количеством разнообразных предметов и использовать его по прямому назначению.

p, blockquote 1,0,1,0,0 -->

К слову, кремень может быть получен с помощью самых разных способов. Их не так уж и много, а если быть точным, то варианта всего 3.

p, blockquote 2,1,0,0,0 -->

Они выглядят следующим образом:

Гравий и его разрушение — рабочий способ, который может быть использован для получения желаемого материала. Понадобится разрушить гравий и с шансом в 10% падает один кремень. Шанс минимален, но он все-таки есть. При этом чары удачи способы увеличить выпадение предмета до 14%.
Торговля — еще один способ, который может быть использован для получения кремния. Для его получения стоит провести процесс торговли с жителями, которые являются лучниками. Они способны продать от 6 до 10 единиц нужного материала за один изумруд. Это простой и эффективный вариант.
Консольные команды — работоспособный вариант, который точно стоит рассматривать. Понадобится создать сервер в режиме креатива, а затем открыть там консоль, используя клавишу T. Далее нужно воспользоваться значением give nick flint. В значении нужно указать собственный ник и получить желаемый результат.

p, blockquote 4,0,0,0,0 --> p, blockquote 5,0,0,0,1 -->

Один из этих способов и рекомендуется использовать, чтобы получить кремень. Поэтому нужно лишь подобрать наиболее подходящий для себя и приступить к его исполнению в игре Minecraft.

Читайте также: