Как сделать электролюминесценция

Добавил пользователь Валентин П.
Обновлено: 19.09.2024

Электролюминесценция отличается от других видов люминесценции прежде всего способом подведения энергии к веществу. Поэтому при ее изучении основное внимание должно быть уделено именно первой стадии процесса, приводящего к свечению, т.е. механизму возбуждения (или ионизации) центров свечения.

Под действием электрического поля происходит несколько типов процессов, приводящих к появлению свечения твердых тел. Электрическое поле способствует появлению либо непосредственно возбужденных состояний центров свечения, либо дополнительных, неравновесных носителей в зонах разрешенных энергий. Последующий захват этих носителей центрами свечения также приводит к их возбуждению.

Дополнительная концентрация возбужденных носителей в веществе может быть получена только двумя основными путями: созданием их в кристалле непосредственно под действием сильного поля или пространственного перераспределения под влиянием поля носителей, уже имеющихся в твердом теле.

а) Туннельный эффект. Если внешнее напряжение, приложенное к полупроводнику или диэлектрику, соз-дает достаточно сильный наклон энергетических зон, то валентные электроны могут с определенной вероят-ностью перейти в зону проводимости, сохраняя при этом потенциальную энергию, полученную ими от поля. В ре-зультате в разных местах кристалла появятся свободные электроны и дырки, т. е. совершится ионизация атомов решетки (переход 1 на рис. 1.2.1).

Рис. 1.2.1 Возможные переходы электронов в области сильного поля у контакта полупроводника n-типа с металлом.


Вероятность ионизации полем зависит как or высоты потенциального барьера, который должен преодолеть электрон (ширина запретной зоны в случае прямых переходов), так и от его ширины, уменьшающейся с рос-том напряженности поля. Наименьшее необходимое напряжение равно ДЕ/е (ДЕ -- ширина запрещенной зоны), а напряженность поля, при которой появляются заметные туннельные токи в случае ДЕ порядка электрон-вольта, составляет 10 3 --10 7 В/см. Подобные поля при напряжении порядка десятков вольт могут быть созданы либо в очень тонких пленочных материалах, либо в барьер-ных слоях с низкой проводимостью. Туннельные токи значительной величины легко создаются в р --n -пере-ходах с очень узкой областью объемного заряда.

Условия рекомбинации появившихся носителей ока-зываются неблагоприятными при постоянно действующем поле, так как электроны и дырки разделены пространст-венно и продолжают разводиться полем.

Схема зон на рис. 1.2.1 соответствует случаю ионизации в области высокого поля, созданного в обедненном элек-тронами слое полупроводника (контакт с металлом, ра-бота выхода которого выше, чем у полупроводника с элек-тронной проводимостью). Так как напряженность поля в этом случае возрастает по мере приближения к металлу, то основное число дырок будет появляться у самой гра-ницы кристалла. При этом дырки будут легко выводиться из полупроводника, отдавая энергию в металле безызлу-чательным путем. Условия рекомбинации в пределах полупроводника улучшатся, если область появления ды-рок проходят электроны. Последние могут проникнуть туда туннельным путем (переход 2 на рис. 1.2.1), но луч-шим вариантом будет введение электронов через барьер (переход 3), так как в этом случае они проходят по полосе проводимости всю область появления дырок. Инжекти-рованные основные носители могут, однако, ускоряться и создавать ионизацию ударным путем, т. е. свечение мо-жет быть обязано одновременно двум механизмам иони-зации.

Так как ударная ионизация требует меньших полей, чем ионизация туннельным путем, то осуществление ус-ловий, при которых свечение связано лишь со вторым механизмом, оказывается менее вероятным. Чисто тун-нельную ионизацию можно ожидать лишь в очень узких переходах шириной около 10 -6 см, в которые вводится малое число носителей (высокий поверхностный барьер или р -- n -переход в материале с широкой запрещенной), но во всех случаях квантовый выход свечения будет незначительным.

б) Предпробойная электролюминесценция. Если свободные носители заряда попадают в область сильного поля, то, ускоряясь, они могут приобрести энергию, до-статочную для возбуждения или ионизации атомов ре-шетки или примеси. Процесс ударной ионизации в твердом теле в общих чертах сходен с аналогичными про-цессами в газовом разряде.

Ускоренные электроны взаимодействуют с нарушения-ми решетки (прежде всего созданными колебаниями ато-мов), теряя при этом часть энергии, полученной от поля. Этот процесс условно изображен на рис. 1.2.1 в виде сту-пенчатых переходов. Если потери энергии при каждом столкновении с дефектом решетки меньше приобретаемой в промежутке между этими столкновениями, то кинети-ческая энергия электрона постепенно возрастает вплоть до значений Е > ДЕ, при которых появляется возмож-ность передачи энергии связанным электронам из валент-ной полосы (переход 4 на рис. 1.2.1) или центрам свечения (переход 5). Возникшие при этом два новых носителя с малой кинетической энергией (так же, как и перво-начальный электрон) могут вновь ускоряться, если про-тяженность области высокого поля достаточна для этого. В предельном случае возникает лавина носителей, соот-ветствующая электрическому пробою барьера.

Предпробойная электролюминесценция наблюдается, например, в порошкообраз-ном ZnS, активированном Си, А1, и др. веществах, поме-щённых в диэлектрик между обкладками конденсатора, на который подаётся переменное напряжение звуковой частоты. При максимальном напряжении на обкладках конденсатора на краях частичек люминофора концентрируется сильное электрическое поле, которое ускоряет свободные электроны. Электроны ионизу-ют атомы; образовавшиеся дырки захватываются центрами свечения, на которых рекомбинируют электроны при из-менении направления поля.

Характерными признаками ударной ионизации являются умножение носителей и широкий спектр излучения, сопровождающего межзонную рекомбинацию в области сильного поля. К этому добавляется зависимость предпробойного напряжения от температуры (ухудшение условий ионизации с ростом температуры), а также нестационарность тока через образцы 13.

Возможны и другие механизмы предпробойной электролюминесценции-- прямое возбуждение центров свечения электронным ударом, а так-же внутризонная электролюминесценция., наблюдаемая в р--n-переходах, включённых в запорном направлении. При внутризонной электролюминесценции свободные электроны (или дырки) испускают свет при переходах в пределах зоны проводимости (валентной зо-ны), без участия центров свечения. Такая электролюминесценция отличается крайне широким спектром, охватывающим всю область прозрачности полупроводника и даже заходящим в об-ласть собственного поглощения.

в) Инжекция носителей заряда. В ряде случаев дей-ствие электрического поля, вызывающего свечение, сво-дится к увеличению относительной анергии электронов и дырок, уже имеющихся в образце, и созданию условий для их рекомбинации. Типичным случаем является свечение р -- n-переходов, включенных в прямом направлении. При отсутствии поля и Т ? 0 К в валентной зоне р-части образца уже имеются дырки, а в зоне проводимости n-части -- элек-троны, диффузия которых в область перехода и реком-бинация затруднена контактным полем. Приложение внешнего напряжения V, понижающего контактную раз-ность потенциалов, дает возможность части носителей проникнуть в область перехода и прорекомбинировать там (рис. 1.2.2).

Рекомбинация электронов и дырок в р -- n -переходе, включен-ном в прямом направлении

Рис. 1.2.2. Рекомбинация электронов и дырок в р -- n -переходе, включен-ном в прямом направлении. ДЕ - ширина запрещенной зоны, Еfn и и Еfp -- уров-ни Ферми в n- и р-областях. Е1 и Е2 -- энергии, сообщаемые электронам и дыркам тепловым движением.

Излучательная рекомби­нация, возбуждаемая пря­мым током через p-n-переход, называется электролюминесценци­ей. При этом в полупровод­никовых диодах происходит прямое преобразование энергии электрического то­ка в энергию света. Особенности прохождения электрического тока через p-n-переход связаны с тем, что на границе областей с раз­ными типами проводимости, как и вообще на границе двух различных тел, существует потенциальный барьер.

На рисунке 1 схематически представлен процесс формирования потенциального барьера при контакте полупроводников с электронным и дырочным типом проводимости. Часть дырок, вследствие градиента концентрации, бу­дет диффундировать через p-n-переход, n-область при этом будет заряжаться по­ложительно относительно p-области. Таким же образом часть электронов будет диффун­дировать в p-область, и она будет заряжаться отрицательно относительно n-области.


Рисунок 1 – Зонная диаграмма p-n-перехода в равновесии и при прямом смещении.

Пространственный за­ряд слева от границы пе­рехода образуется отри­цательно заряженными акцепторами, так как компенсировавшие их за­ряд дырки ушли в n-область. Пространственный заряд справа соответст­венно образован положи­тельными донорами, так как компенсировавшие их заряд электроны ушли в р-область. Таким образом по обе стороны от геометри­ческой границы раздела между p- и n-областями создаются области пространственного заряда. Внешние границы этих областей и можно считать границами p-n-перехода. Образование таких заряженных областей (электрическо­го двойного слоя) приводит к созданию электрического поля и разности потенциалов в p-n-переходе. Направление поля будет таким, чтобы тормозить диффузионное движение ды­рок направо, а электронов – налево. В соответствии с из­менением потенциала в области p-n-перехода искривляются энергети­ческие зоны в полупро­воднике. В условиях равновесия установится такой потенци­альный барьер, при котором число носителей заряда (элек­тронов и дырок), переходящих через p-n-переход налево, равно числу переходящих направо.

Электрический ток через переход в рав­новесии равен нулю. Разность потенциалов между двумя различными по свойствам областями полупроводника, устанав­ливающаяся в результате описанного процесса об­мена носителями заряда в условиях равновесия, называется контактной разностью потенциалов φк.

Аналогично увеличивается поток дырок из р-в n-область, и не изме­няется их поток в обратном направлении.

Явление перехода неравновесных дырок из р-в n-область и неравновесных электронов из n-в р-область называется инжекцией неосновных носителей. Соответствующий знак на­пряжения и направление тока через p-n- переход называ­ются прямыми [2].

Дырки, инжектированные через p-n-переход под действием прямого смещения, попадают в n-область, где они являются избыточными носителями заряда. По мере продвижения в глубину n-области избыточные дырки рекомбинируют с элек­тронами, и вдали от p-n-перехода концентрация дырок ста­новится равной равновесной концентрации pn, а ток переносится практически только электронами. Прямой ток определяется тем, сколько дырок может пройти p-n-переход при данном внешнем напряжении, и тем, как быстро избы­точные дырки, попавшие в n-область, рекомбинируют с элек­тронами.

Процесс ре­комбинации электронов и дырок может сопровождаться из­лучением квантов света с энергией hν. Это происходитв том случае, если вы­деляемая при захвате но­сителей энергия значи­тельно превышает ту, ко­торую может поглотить решетка. Как правило, доминирующим является безызлучательный механизм рекомбинации.

Химик Валентина Уточникова о люминесцирующих полупроводниках, триплетном и синглетном состояниях и OLED-дисплеях.

Сложно переоценить ту роль, которую люминесценция играет в современном мире. Одним из самых важных ее применений на сегодняшний день стоит считать электролюминесценцию. В 2014 году Нобелевскую премию по физике присудили как раз за открытие в области электролюминесценции, а точнее, за открытие неорганического полупроводникового светодиода — LED.

Люминесценция таких светодиодов как раз относится к электролюминесценции. Этот процесс чрезвычайно важный, и, кроме того, он сильно отличается от фотолюминесценции по способу возбуждения. В случае фотолюминесценции мы переводим вещество непосредственно из основного состояния в возбужденное за счет поглощения кванта света, то есть одна и та же молекула, один и тот же кристалл находится в основном и возбужденном состоянии, переходя непосредственно снизу вверх. Но при электролюминесценции процесс возбуждения происходит совершенно по-другому.

Возбужденное состояние — это лишний электрон на возбужденной орбитали или в зоне проводимости полупроводника и отсутствие электрона или дырка на одной из некогда занятых орбиталей или в валентной зоне. Чтобы создать такое состояние при электровозбуждении люминесценции, электрон приходит с одной стороны, а дырка посредством протекания электрического тока — с другой.

Для осуществления этого процесса, в частности, в неорганических полупроводниках вам нужен полупроводник, а лучше два полупроводника. Один из них должен быть способен к подвижности электронов, другой — к подвижности дырок. Можно этого легко добиться, допируя соответствующий полупроводник и добиваясь его p- или n-проводимости, то есть дырочной или электронной проводимости. При контакте двух таких полупроводников возникает так называемый p-n-переход — некая пространственная зона, где полупроводники с дырочным и электронным типом подвижности находятся в контакте и пропускают ток через такой полупроводник. В этой самой области p-n-перехода может создаваться возбужденное состояние, когда наверх приходит электрон, а снизу уходит дырка. Такое возбужденное состояние может релаксировать, испуская квант света.

Подобных полупроводников существует много. Они люминесцируют в разных областях спектра в зависимости от типа соединения, которое вы используете. Нобелевская премия была присуждена за один конкретный — нитрид индия галлия, важность которого сложно переоценить, поскольку он люминесцирует в синей области спектра.

Почему именно синяя область так важна? Давайте вспомним, где мы вообще встречаемся с неорганическими полупроводниками. В первую очередь это разного рода осветители: налобные фонарики, лампочки, вспышки, в том числе в мобильных телефонах. Все они светят белым светом. Белый свет — это сумма если не всех цветов, то, во всяком случае, нескольких. И если у нас есть только один, допустим синий, то к нему нужно добавить как минимум желтый. Как это сделать? Получить еще один светодиод? Это непростая задача: нужно растить полупроводниковый монокристалл, получать новый p-n-переход, заново подводить к нему контакты и создавать устройство. Это вдвое удорожает такой источник белого света.

Нашлось более эффективное решение этой задачи. Для получения источника белого света поверх излучающего в синем диапазоне полупроводника наносится фотолюминесцирующий гель, излучающий желтый свет при поглощении синего света. Таким образом мы получаем один электролюминесцирующий светодиод, который часть своего излучения отдает наружу, и мы видим его в виде синей полосы, а другую часть излучения поглощает нанесенный сверху гель и переизлучает в виде желтой полосы в спектре. В результате мы видим белую люминесценцию. Неорганический источник белого света — это некая люминесцентная квинтэссенция, так как мы видим здесь и электро-, и фотолюминесценцию в одном маленьком устройстве.

Дополнительным плюсом является то, что, варьируя количество фотолюминесцирующего геля или изменяя толщину его слоя, мы можем изменить теплоту света. Чем меньше фотолюминесцирующего желтого геля, тем больше наружу выходит синего света и, соответственно, меньше желтого — это будет холодный свет. Если нанести его более толстым слоем, синий свет будет более эффективно поглощаться. Тогда синего будет меньше, зато мы получим больше желтого — это будет теплый свет. Таким несложным процессом мы можем получать всю линейку белого света — от самых холодных до самых теплых оттенков. Неудивительно, что это открытие удостоилось Нобелевской премии.

Конечно, с такими источниками белого света сталкивались мы все, но не меньшую популярность и не меньшее распространение сейчас получили органические светодиоды — OLED. Часто в готовых устройствах под торговой маркой AMOLED их называют OLED с активной матрицей.

Только какая-то жизненная несправедливость помешала органическим светодиодам тоже получить Нобелевскую премию. По удивительному стечению обстоятельств Тан и ван Слайд, изобретатели органических светодиодов, были номинированы на нее в том же 2014 году. Тогда премию уже дали за неорганические полупроводники по физике, в химии победила STED-микроскопия, и, возможно, именно поэтому OLED остались без вполне заслуженной Нобелевской премии.

В то же время это слово уже тоже у всех на слуху. OLED часто используются и в экранах мобильных телефонов, и в дисплеях, в экранах телевизоров. Устройство их во многом перекликается с устройством неорганических светодиодов. Однако чем дальше развивается эта область, тем больше и больше различий. Первый OLED, однопиксельное простое устройство, был создан по образу и подобию неорганических: там тоже создали p-n-переход, электронно-дырочную границу раздела между металлическим катодом и анодом из индий-оловянного оксида. Были нанесены две тонкие пленки органических соединений, одно из которых — оксихинолинат алюминия — обладало электронной подвижностью. Этот материал также способен к люминесценции. PPV, другой полимер, обладал дырочной подвижностью. На границе двух этих пленок образовывался экситон.

На первый взгляд, это очень напоминает неорганические светодиоиды, но здесь мы сразу сталкиваемся с большим различием неорганических и органических полупроводников. Если в неорганических полупроводниках экситон делокализован, распределен по некой области пространства, то в случае органических полупроводников он локализован на конкретной органической молекуле. В частности, говоря об электроне, который транспортируется слоем, мы имеем в виду молекулу, заряженную в виде аниона. А говоря о дырке, мы имеем в виду тоже заряженную молекулу в виде катиона. При взаимодействии катиона и аниона образуется экситон, то есть возбужденное состояние, также локализованное на одной конкретной молекуле. В данном случае это как раз оксихинолинат алюминия — он же в итоге и люминесцирует.

Дальнейшее развитие OLED-технологий позволило выявить целый ряд дополнительных отличий, которые превратили эту область в совершенно самостоятельную область науки — как физики, так химии, материаловедения и нанотехнологий.

В первую очередь мы уже понимаем, что нам нужны люминесцирующие соединения, обладающие транспортными свойствами, то есть подвижностью электронной, дырочной или той и другой. Следующим очень быстро обнаруженным моментом является то, что, согласно квантовой статистике, получающийся в таком процессе электровозбуждения экситон с вероятностью 75% окажется триплетным и только с вероятностью 25% — синглетным. Тогда из огромной базы данных уже существующих люминесцирующих соединений мы вынуждены выбросить все флуоресцирующие соединения, то есть все соединения, люминесцирующие только за счет синглетного состояния. Ведь при электровозбуждении их квантовый выход падает практически вчетверо. Те соединения, которые люминесцируют за счет триплетного состояния или с его участием, в данном случае вызывают огромный интерес. Вскоре после открытия первых органических светодиодов было обнаружено, что координационные соединения или металлоорганические соединения металлов платиновой группы как раз обладают фосфоресценцией.

Дальнейшее развитие в этой области очень быстро показало, что наибольшая эффективность люминесценции достигается для соединений иридия. Эта область получила чрезвычайно быстрое развитие: именно соединения иридия сейчас используются в AMOLED-дисплеях. В то же время их необходимо заменить на более дешевые, более доступные соединения. Сейчас это огромная область развития. Для этой цели можно использовать координационные соединения лантанидов, где участвует триплетный уровень лиганда. Это также могут быть квантовые точки или TADF-материалы, то есть материалы с термически активируемой замедленной флуоресценцией. В данном случае триплетный уровень не обладает люминесценцией, но способен передавать энергию обратно на синглетный уровень. Таким образом, мы получаем флуоресцирующее соединение, которое, однако, не теряет в квантовом выходе при использовании электролюминесценции как способа возбуждения.

Все эти соединения обладают своими достоинствами и недостатками. Сейчас, в отличие от соединений иридия, они скорее являются предметом изучения науки, чем технологии. Но такие крупные компании, как Samsung, LG и Apple, поверили в эту технологию. Samsung уже давно выпускает OLED-дисплеи, LG бьется за OLED-телевизоры. Самый последний iPhone с двумя стеклами с обеих сторон тоже перешел на OLED-дисплеи — это тот самый iPhone, который сначала был распродан, а теперь Apple предупреждает, что экран, к сожалению, может выгорать. Почему? Потому что он основан на OLED. Сейчас это обозначает, что нам есть куда расти.

Электролюминесценция (EL) — род люминесценции, возбуждаемой электрическим полем. Оптико-электрическое явление, в котором происходит излучение света под действием электрического тока (потенциала). Наблюдается в газах, жидкостях и кристаллофосфорах, атомы или молекулы которых переходят в возбуждённое состояние в процессе электрического разряда. Примером электролюминесценции является Северное сияние, в котором поток заряженных частиц, испускаемых Солнцем, захватываются магнитным полем Земли и возбуждают свечение в верхних слоях атмосферы.


Спектр синего/зеленого электролюминесцентного источника света для радиоприемника с таймером. Пиковая длина волны - 492 нм, спектральная полоса пропускания FWHM весьма широка, приблизительно 85 нм.

Электролюминесценция отличается от световой эмиссии, вызываемой высокой температурой (накалом), химической реакцией (хемилюминесценция), звуком (сонолюминесценция), или другими воздействиями (например, биолюминесценция, триболюминесценция - под действием трения. ).

Содержание

Электролюминесцентные устройства могут быть изготовлены из тонких плёнок органических или неорганических материалов. Тонкие слои плёнок содержат типовой полупроводник и добавки, которые определяют спектр испускаемого и видимого цвета. Полупроводник должен иметь достаточно широкую полосу пропускания, чтобы обеспечить выход света.

Часто используются неорганические (TFEL), например, ZnS:Mn даёт жёлто-оранжевую эмиссиию. Примеры диапазонов ЭЛ-материала включают:

  • Порошковый сульфид цинка, допированный медью или серебром;
  • Тонкие плёнки сульфида цинка, допированные марганцем;
  • Естественный синий алмаз (алмаз - бор);
  • Полупроводники типа III-V (InP, GaAs, GaN и др.);
  • Неорганические полупроводники типа [Ru(bpy)3] 2+ (PF6 - )2, where bpy is 2,2'-bipyridine


Электролюминесцентный ночник в операции (использует 0.08 W в 230 V, и датах с 1960; освещенный диаметр 59 мм)

Самые распространённые ЭЛ-устройства — порошоки, нанесенные на поверхность стекла (прежде всего их используют в люминесцентных источниках света), и тонкие плёнки (для информационных дисплеев.)

Электролюминесцентное автомобильное подсвечивание приборной панели, с указателем характеристик, где также применяется индивидуальный источник света, которое вошло в производство в 1960 Крайслера и Имперских легковых автомобилей, и было продолжено успешно на нескольких транспортных средствах Крайслера до 1967.

Освещение Sylvania Разделения в Салеме и Danvers, MA, произведенного и проданного ЭЛЬ вечерняя лампа (право), под торговой маркой Panelescent в примерно то же самое время, когда приборные панели Крайслера вошли в производство. Эти лампы оказались невероятно надежными, с некоторыми образцами, известными, которые сохранили свои функциональные возможности почти после 50 лет непрерывной эксплуатации. Позже в 1960-ых Электронное Разделение Систем Силвании в Needham, MA, развивало и изготовило несколько инструментов для Аполлона: Лунный Модуль Высаживающегося на берег и Команды, используя электролюминесцентные группы показа, изготовленные Электронным Разделением Трубы Силвании в Торговом центре, Пенсильвании. Raytheon, Садбери, MA, изготовил компьютер руководства Аполлона, который использовал Силванию электролюминесцентную группу показа как часть ее интерфейса клавиатуры показа (DSKY).

Порошковые электролюминесцентные группы на основе фосфора часто используются как лампы подсветки к жидкокристаллическим показам. Они с готовностью обеспечивают нежное, даже освещение ко всему показу, потребляя относительно небольшую электроэнергию. Это делает их удобными для устройств с батарейным питанием, типа пейджеров, наручные часы, и управляемые компьютером термостаты и их нежный зеленый цвет-голубой жар — общий вид в технологическом мире. Они действительно, однако, требуют относительно высокого напряжения (между 60 и 600 вт) [1] . Для устройств с батарейным питанием, это напряжение должно быть произведено кругооборотом конвертера в пределах устройства; этот конвертер часто заставляет создавать слышимые звуки: как скулить или звук сирены, в то время, когда лампа подсветки активизирована. Поскольку напряжение линии управляло устройствами, это может поставляться непосредственно от линии электропередачи. Электролюминесцентные ночники работают этим способом. Яркость со своими характеристиками увеличивается с увеличенным напряжением и частотой. [2]

Тонкая люминесцентная электролюминесценция плёнки была сначала коммерциализирована в течение 1980-ых Острой Корпорацией в Японии, Finlux (Внук Лохджа Аб) в Финляндии, и Плоские Системы в США. Здесь, яркая, длинная эмиссия света жизни достигнута в тонком желтом испускании плёнкой, легированной марганцово-цинковым материалом сульфида. Показы, используя эту технологию, были изготовлены для медицинского и транспортного средства, где прочность и широкие углы рассмотрения были критическими, и жидкокристаллические показы не были хорошо развиты. В 1992 Timex вводил его ЭЛЬ показ-Indiglo на некоторых часах.

Недавно синий, красный, и зеленый испускающий тонкий слой электролюминесцентных материалов был развит так, что создан потенциал для длинной жизни и полных цветных электролюминесцентных показов.

В любом случае, ЭЛЬ материал должен быть приложен между двумя электродами, и по крайней мере один электрод должен быть прозрачным, чтобы позволить спасение произведенного света. Стекло, покрытое окисью или оловянной окисью индия, обычно используется как передний (прозрачный) электрод, в то время как обратный электрод покрыт рефлексивным металлом. Дополнительно, другие прозрачные материалы проведения, типа углерода nanotube покрытия или PEDOT могут использоваться как передний электрод.

Заявления показа прежде всего пассивны (то есть, напряжения ведут от края показа, сравни который везут от транзистора на показе), Подобная тенденциям ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО МОНИТОРА, также была Активная матрица ЭЛЬ (AMEL), и демонстрируемые показы были в случае, где была добавлена схема, чтобы продлить напряжения в каждом пикселе. Природа твердого тела TFEL учитывает очень бурное и с высокой разрешающей способностью показ изображений, изготовленными фотосенсорами на основе кремниевых материалов. Показы AMEL 1280x1024 в более чем 1000 линий на дюйм (lpi) демонстрировались консорциумом, включая Плоские Системы. [3] б [4]


Электролюминесцентные технологии имеют низкий расход энергии по сравнению с конкурирующими технологиями освещения, типа неоновых или флуоресцентных ламп. Это, вместе с малой толщиной материала, сделало ЭЛЬ технологию ценной в отрасли рекламы. Уместная рекламная продукция включает электролюминесцентные доски объявлений и признаки. ЭЛЬ изготовители в состоянии управлять точно иллюминатом листа, применяя электролюминесцентные технологии. Это дало рекламодателям способность создать более динамическое рекламирование, которое является все еще совместимым с традиционными методами рекламы.


1966 Приборная панель Зарядного устройства Уловки с электролюминесцентным освещением. Крайслер начал строить автомобили с ЭЛЬ освещением группы в течение образцового 1960 года.

В принципе, ЭЛЬ лампы могут быть сделаны в любом цвете. Однако, обычно-используемый зеленоватый цвет близко соответствует пиковой чувствительности человеческого видения, производя самую большую очевидную легкую продукцию для наименьшего количества входа электроэнергии. В отличие от неоновых и флуоресцентных ламп, ЭЛЬ лампы положительные (не отрицательные) устройства сопротивления, ичто исключает любую дополнительную схему для регулировки любого количества потока информации, текущей через ЭЛЬ-устройство.

Читайте также: