Как сделать пэм

Добавил пользователь Валентин П.
Обновлено: 04.10.2024

В этом видео мы будем лепить фигурки героев игры Brawl Stars. Лепим Тару (Tara), Бо (Bo) и Пэм (Pam) из пластилина.

Привет друг, это видео где я покажу как слепить поделку из пластилина! В этом видео я покажу как быстро слепить поделку .

В этом ролике я леплю нового персонажа ЛУ и новый скин НАНИ САЛЛИ из игры Бравл Старс. В видео лепке вы увидите .

В этом видео мы будем лепить Сэнди - нового легендарного бойца игры Brawl Stars. Лепим Сэнди (Sandy) из пластилина.

Я снимаю интересные истории по игре Brawl Stars. Буду очень рад если вы будете делиться с другими моим контентом, .

Друг задонатил в игру 80 гемов и ему повезло с багом за 49гемов 49мегаящиков у него 348 трофеев и мы просто афигели .

В этом видео мы будем лепить фигурки героев игры Brawl Stars. Лепим Пайпер, Волшебника Барли и Эль Примо из .

В этом видео мы будем лепить фигурки героев игры Brawl Stars. Лепим Робо Майка (Robo Mike) и Тика (Tik) из пластилина.

В этом видео мы будем лепить фигурки героев игры Brawl Stars. Лепим Нани и Гэйла Торговца из пластилина. Как слепить .

В этом видео мы будем лепить новые фигурки героев игры Brawl Stars. Лепим Джина (Gene) и его дьявольский скин из .

Ребята, лепка нового персонажа ЭМБЕР из игры Бравл Старс пошагово в этом ролике. Как слепить легендарного .

Редкость

Скорость передвижения

Голос озвучки

Здоровье

Уровень

Здоровье

4800

5040

5280

5520

5760

6000

6240

6480

6720

6960

7200

Атака

Радиус

Перезарядка

Пуль за атаку

Уровень

Урон

260

273

286

299

312

325

338

351

364

377

390

Супер

Уровень

Здоровье

360

2800

378

2940

396

3080

414

3220

432

3360

450

3500

468

3640

486

3780

504

3920

522

4060

540

4200

“ Давай разберемся! ”
― Пэм (реплика).

Содержание

Общее

Основные атаки

Атака: Буря лома

Пэм стреляет большим потоком металлолома с довольно большим разбросом и средней дальностью. Максимальный урон достигается на короткой дистанции.

Супер: Мамочкин поцелуй

Супер Пэм — это лечебная турель, которая лечит союзников в большом диапазоне.

Усиления

Звёздная сила: Мамина забота

Нанося урон противникам Пэм восстанавливает 48 очков здоровья себе и ближайшим участникам команды. Учитывается и восстановление турели Джесси, медведю Ниты или даже теневого клона Тары, но не сейфа в Ограблении или ИКЕ в Осаде. При восстановлении здоровья на полсекунды под Пэм появляется зелёная зона, как от турели.

Звёздная сила: Мамины объятия

Теперь лечебную турель можно использовать и для того, чтобы оттеснять противников с позиции. Хорошо подходит для Роборубки. Также будет играть важную роль в выживаемости союзников и их защиты.

Гаджет: Пылесос

Гаджет: Импульсный модулятор

Основная трудность при использовании ПЭМ состоит в изготовлении образцов. Толщина образца должна составлять не более микрона. Обычно такие образцы изготавливаются с помощью фотолитографии и химического травления. Используют также струйное и ионное травление. Варианты конфигураций образцов для ПЭМ представлены на рис.6.

Часто при определении морфологии БИС используют специальные тестовые кристаллы, содержащие компоненты, предназначенные для исследования в ПЭМ. Пример электронно-микроскопического изображения тестового кристалла приведен на рис.7.

Между поликремниевыми слоями в слое тонкого окисла образовались "усы", которые способны вызвать уменьшение напряжения пробоя окисла и привести к отказу схемы. Обнаружить подобные "слабые" места схемы другим методом крайне трудно.

Для исследования рельефа поверхности массивных образцов изготавливают реплики (отпечатки) с поверхности с помощью нанесения специальных пластиков (или графита). Затем реплики отделяют от образца и наносят тонкий слой металла для усиления контраста. При изучении поверхности с помощью реплик разрешение составляет (5 - 10) нм, объект при этом не подвергается разрушению.

Энергия первичных электронов в методе ПЭМ равна (0,6 - 3,5)·10 5 эВ. При исследовании тонких пленок методом ПЭМ при ускоряющем напряжении (1 - 2)·10 5 В толщина пленки должна быть не более (0,2 - 0,3) мкм, при увеличении напряжения до 10 6 В можно изучать образцы до (1 - 3) мкм.

Разрешение ПЭМ ограничено сферической аберрацией и составляет (0,1 – 1.0) нм. В режиме наблюдения изображения увеличение микроскопа достигает значений (2 - 5)·10 5 .

Основные характеристики ПЭМ

Ускоряющее напряжение, В

Разрешающая способность, нм

Толщина образца, мкм

Растровая электронная микроскопия

Растровая электронная микроскопия (РЭМ) предназначена для изучения топографии поверхности, определения состава, обнаружения дефектов кристаллической решетки. Метод незаменим при исследовании причин отказов ИС, определении электрического потенциала на поверхности.

На рис.8 представлена схема растрового электронного микроскопа. Источником электронов является электронная пушка с термокатодом, нить накала которого изготавливается из вольфрама или LaB₆. Электроны ускоряются электрическим полем до энергий E₀ = (0,2 - 4)·10 4 эВ, то есть меньших, чем в ПЭМ. Формирование электронного пучка и управление им осуществляется с помощью магнитных линз и отклоняющих катушек, которые позволяют получить луч малого диаметра (2 - 10 нм) и развернуть его в растр на поверхности образца.

РЭМ с термокатодом предназначены для исследования массивных объектов с разрешением от 70 до 200 A°. Ускоряющее напряжение в РЭМ можно регулировать в пределах от 1 кВ до 30 – 50 кВ.

Устройство такого РЭМ показано на рис.9. При помощи 2 или 3 магнитных электронных линз (ЭЛ) на поверхность образца фокусируется узкий электронный зонд. Магнитные отклоняющие катушки развёртывают зонд по заданной площади на объекте. При взаимодействии электронов зонда с объектом возникает несколько видов излучений (рис.10) – вторичные и отражённые электроны; электроны, прошедшие сквозь объект (если он тонкий); рентгеновское тормозное излучение и характеристическое излучение; световое излучение и т. д.

Любое из этих излучений может регистрироваться соответствующим коллектором, содержащим датчик, преобразующий излучение в электрические сигналы, которые после усиления подаются на электроннолучевую трубку (ЭЛТ) и модулируют её пучок. Развёртка пучка ЭЛТ производится синхронно с развёрткой электронного зонда в РЭМ, и на экране ЭЛТ наблюдается увеличенное изображение объекта. Увеличение равно отношению высоты кадра на экране ЭЛТ к ширине сканируемой поверхности объекта. Фотографируют изображение непосредственно с экрана ЭЛТ. Основным достоинством РЭМ является высокая информативность прибора, обусловленная возможностью наблюдать изображение, используя сигналы различных датчиков. С помощью РЭМ можно исследовать микрорельеф, распределение химического состава по объекту, р—n-переходы, производить рентгеноструктурный анализ и многое другое. Образец обычно исследуется без предварительной подготовки. РЭМ находит применение и в технологических процессах (контроль дефектов микросхем и пр.).

Рис.9. Блок-схема РЭМ

1 – изолятор электронной пушки;

2 – накаливаемый V-образный катод;

3 – фокусирующий электрод;

5 – блок двух конденсорных линз;

7 – двухъярусная отклоняющая система;

11 – детектор вторичных электронов;

12 – кристаллический спектрометр;

13 – пропорциональный счётчик;

14 – предварительный усилитель;

15 – блок усиления:

16, 17 – аппаратура для регистрации рентгеновского излучения;

18 – блок усиления;

19 – блок регулировки увеличения;

20, 21 – блоки горизонтальной и вертикальной развёрток;

22, 23 – электроннолучевые трубки.

РЭМ с автоэмиссионной пушкой обладают высокой для РЭМ PC (до 30 Å). В автоэмиссионной пушке (как и в электронном проекторе) используется катод в форме острия, у вершины которого возникает сильное электрическое поле, вырывающее электроны из катода. Электронная яркость пушки с автоэмиссионным катодом в 10 3 – 10 4 раз выше, чем пушки с накалённым катодом. Соответственно увеличивается ток электронного зонда. Поэтому в РЭМ с автоэмиссионной пушкой осуществляют быстрые развёртки, а диаметр зонда уменьшают для повышения PC. Однако автоэмиссионный катод работает устойчиво лишь при сверхвысоком вакууме (1·10 -9 – 1·10 -11 мм рт. ст.), и это усложняет конструкцию таких РЭМ и работу на них.

Просвечивающие растровые электронные микроскопы (ПРЭМ) обладают столь же высокой PC, как и ПЭМ. В этих приборах применяются автоэмиссионные пушки, обеспечивающие достаточно большой ток в зонде диаметром до 2 – 3 Å. На рис.11 приведено схематическое изображение ПРЭМ. Две магнитные линзы уменьшают диаметр зонда. Ниже объекта расположены детекторы — центральный и кольцевой. На первый попадают не рассеянные электроны, и после преобразования и усиления соответствующих сигналов на экране ЭЛТ появляется так называемые светлопольное изображение. На кольцевом детекторе собираются рассеянные электроны, создающие так называемое темнопольное изображение. В ПРЭМ можно исследовать более толстые объекты, чем в ПЭМ, так как возрастание числа не упруго рассеянных электронов с толщиной не влияет на разрешение (после объекта оптика в ПРЭМ отсутствует). С помощью анализатора энергии электроны, прошедшие сквозь объект, разделяются на упруго и не упруго рассеянные пучки. Каждый пучок попадает на свой детектор, и на ЭЛТ наблюдается соответствующее изображение, содержащее дополнительную информацию о рассеивающих свойствах объекта. Высокое разрешение в ПРЭМ достигается при медленных развёртках, т. к. в зонде диаметром всего 2 – 3 Å ток получается слишком малым.

Рис.11. Принципиальная схема просвечивающего растрового электронного микроскопа (ПРЭМ).

1 – автоэмиссионный катод;

2 – промежуточный анод;

4 – отклоняющая система для юстировки пучка;

6, 8 – отклоняющие системы для развертки электронного зонда;

7 – магнитная длиннофокусная линза;

9 – апертурная диафрагма;

10 – магнитный объектив;

12, 14 – отклоняющие системы;

13 – кольцевой коллектор рассеянных электронов;

15 – коллектор не рассеянных электронов (убирается при работе со спектрометром);

16 – магнитный спектрометр, в котором электронные пучки поворачиваются магнитным полем на 90°;

17 – отклоняющая система для отбора электронов с различными потерями энергии;

18 – щель спектрометра;

19 – коллектор ВЭ – вторичных электронов;

h – рентгеновское излучение.

Электронные микроскопы смешанного типа. Сочетание в одном приборе принципов формирования изображения с неподвижным пучком (как в ПЭМ) и сканирования тонкого зонда по объекту позволило реализовать в таком электронном микроскопе преимущества ПЭМ, РЭМ и ПРЭМ. В настоящее время во всех ПЭМ предусмотрена возможность наблюдения объектов в растровом режиме (с помощью конденсорных линз и объектива, создающих уменьшенное изображение источника электронов, которое сканируется по объекту отклоняющими системами). Кроме изображения, сформированного неподвижным пучком, получают растровые изображения на экранах ЭЛТ с использованием прошедших и вторичных электронов, характеристические рентгеновские спектры и т. д. Оптическая система такого ПЭМ, расположенная после объекта, даёт возможность работать в режимах, неосуществимых в других приборах. Например, можно одновременно наблюдать электронограмму на экране ЭЛТ и изображение того же объекта на экране прибора.

Эмиссионные электронные микроскопы создают изображение объекта в электронах, которые эмиттирует сам объект при нагревании, бомбардировке первичным пучком электронов, освещении и при наложении сильного электрического поля, вырывающего электроны из объекта. Эти приборы обычно имеют узкое целевое назначение.

Рис.12. Контуры областей проникновения первичных электронов вблизи поверхности образца в зависимости от их энергии E₀

ри облучении образца возникают рентгеновские кванты и вторичные и отраженные (обратно рассеянные) электроны. Электроны первичного пучка проникают в глубь образца и испытывают столкновения. Узкий первичный пучок рассеивается. Контуры области рассеяния представлены на рис.12.

Глубина проникновения R зависит от энергии электронов E₀ и плотности вещества ρ. Эксперименты показали, что произведение Rρ практически постоянно, и зависимость от энергии E₀ описывается следующей эмпирической формулой

, (2)

где А - атомный вес; Z - атомный номер. Для Si значения R меняются в пределах (0,02 - 10) мкм при изменении E₀ от 1 до 100 кэВ.

Вторичные электроны делятся на две группы. Электроны, испытавшие упругие соударения с ядрами, имеют энергию, близкую энергии электронов в первичном пучке E₀. Это отраженные электроны. Доля отраженных электронов невелика, она составляет примерно (1 - 2)% от количества вторичных и возрастает с увеличением атомного номера Z.

Неупругие столкновения с атомами вызывают ионизацию атомов и образование истинно вторичных электронов с энергией, меньшей 50 эВ, и максимумом распределения вблизи 5 эВ (рис.13).

Спад выхода вторичных электронов в области больших энергий E₀ обусловлен ростом глубины проникновения R с увеличением энергии. Доля вторичных электронов, рожденных в объеме образца и способных выйти на поверхность, при этом уменьшается. Металлы и полупроводники имеют коэффициенты вторичной эмиссии порядка единицы, для диэлектриков это величины в диапазоне (1,5 - 23). У металлов средняя длина свободного пробега вторичных электронов ~ 1 нм и максимальная глубина выхода ~ 5 нм, у диэлектриков - 5 и 50 нм соответственно, что объясняется взаимодействием вторичных электронов со свободными носителями в металлах. Потери энергии в диэлектриках обусловлены лишь рассеянием на фононах. Вторичные электроны могут возникать и за счет отраженных электронов, их доля составляет (20 - 70)% от общего числа вторичных электронов. Количество вторичных электронов существенно зависит от работы выхода из материала, влияние величины Z выражено в меньшей степени, чем для отраженных электронов. Так, выход вторичных электронов из SiO₂ больше, чем из Si (внутренняя работа выхода для SiO₂ - 0,9 эВ, а для Si - 4,15 эВ).

Изображение на экране микроскопа формируется за счет вторичных и отраженных электронов. Сигнал поступает на детектор и после усиления - на электронно-лучевую трубку (ЭЛТ). Развертка луча в ЭЛТ синхронизирована с разверткой первичного электронного луча РЭМ. Интенсивность электронного пучка в ЭЛТ модулируется сигналом, поступающим с образца. Поэтому изображение поверхности зависит от интенсивности отраженного электронного луча. Развертка луча электронов позволяет наблюдать на экране ЭЛТ определенную площадь образца.

Контраст определяется химическим составом образца и морфологией поверхности. При увеличении атомного номера элемента увеличивается коэффициент отражения электронов, поэтому области, содержащие элементы с большим Z, дают больший сигнал. Так, выход отраженных электронов для Au в 10 раз выше, чем для углерода. Контраст изображения вкраплений Al в Si составляет около 7%, т.е. такие включения вполне различимы. Области металлизации, окисла и Si легко различимы и на изображениях, сформированных вторичными электронами.

Для исследований на РЭМ используют вторичные электроны разных энергий (медленные и быстрые отраженные). Получаемые при этом изображения несут различную информацию и различаются по контрасту и разрешению. Механизм формирования контраста во вторичных и отраженных электронах, обусловленного морфологией поверхности, поясняет рис.14.

Для обеспечения необходимого контраста изображения К ток должен быть не меньше, чем

где ε - эффективность детектирования сигнала; t_f - время сканирования пучком исследуемого участка. При низком контрасте изображения приходится использовать пучок большего диаметра, чтобы обеспечить ток I_min.

Пространственное разрешение изображения зависит от состава, ориентации поверхности, размеров участка поверхности и характеристик самого РЭМ. Диаметр пучка можно уменьшить уменьшением тока пучка и повышением его энергии. Диаметр электронного пучка при энергии 10 – 30 кэВ и токе I=1·10 –11 А составляет (4 – 13) нм.

Главное ограничение на пространственное разрешение связано с необходимостью обеспечить достаточный ток электронного пучка. Пространственное разрешение РЭМ меньше 10 нм, а глубина резкости (2 – 4) мкм при увеличении x10 4 и (0.2 – 0.4) мм при увеличении x10 2 .

Линейное разрешение изображений, формируемых вторичными электронами, равно сумме диаметров первичного электронного пучка и области размытия в плоскости на глубине, равной длине свободного пробега электронов. Вторичные электроны могут быть возбуждены и отраженными электронами, что ухудшает разрешение.

Читайте также: