Кт838а транзистор характеристики самоделки

Добавил пользователь Alex
Обновлено: 18.09.2024

Может кто собирал, на сколько надежно она работает. Состоит из 2 кт838а, 3 д226д, 2 резисторов 47ом и 390ом. На не большом радиаторе, причем еле греется в тв 34 диагонали.

__________________
Моряк на Суше одинок: Водка+Дамы+сигареты=Один.
.

Современные строительные электроинструменты достигают высокой производительности и эргономичности благодаря использованию мощных бесщеточных электродвигателей и литий-ионных аккумуляторов. Для реализации сложных алгоритмов питания таких двигателей и управления ими компания Infineon предлагает микросхему интеллектуального драйвера управления трехфазным бесщеточным двигателем 6EDL7141, MOSFET BSC007N04LS6 из семейства OptiMOS 6, а также отладочную плату EVAL6EDL7141TRAP1SH.

Чаще всего этот мощный транзистор можно было увидеть в каскадах строчной развертки устаревших кинескопных телевизорах. Полупроводниковый прибор относится к кремневым мощным биполярным транзисторам, обладает внушительными размерами, изготавливается в металлическом корпусе КТ-9. Изготавливается по мезапланарной технологии с n-p-n структурой. Кроме всего прочего радио компонент используется в схемах видео контроля.

Транзистор до сих пор выпускается в России в городе Брянске, на фирме Кремний, но малыми партиями.

По ссылке выше вы сможете скачать справочник на биполярный транзистор КТ838А, а также посмотреть его подробные параметры и технические характеристики, в удобном для просмотра справочной документации, формате PDF.

Выпускается только в металлическом исполнении с жесткими выводами и стеклянными вставками. Тип прибора указывается на корпусе. Масса компонента не более 20 г.

Цоколевка у мощного отечественного полупроводника классическая для металлического исполнения КТ-9 со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Если смотреть на устройство с тыловой части, то коллектор легко отличите от эмиттера и базы. Так как последние два являются типовыми выводами, коллектор же является корпусом полупроводника.

Наименование и обозначение, наносится прямо на переднюю часть, благо размеры корпуса позволяют.

Комплементарной пары для КТ838А нет, что существенно ограничивает его применение в радиолюбительском деле.

Предельно допустимые эксплуатационные характеристики полупроводникового прибора представлены в таблице ниже, рассмотрим их чуть более подробно.

Максимальные значения параметров КТ838А:

Постоянное напряжение коллектор-база 1500 Вольт
Напряжение между: К-Э переходом в импульсе до 1500 В;
Коллекторный ток до 5 А постоянный, в импульсе до 7,5 А
рассеиваемая мощность до 50 Вт с радиатором, без 12 ВТ
температура p-n-перехода до 115°С
Импульсный ток базы 3,5 А, постоянный 0,1 А

Превышение этих параметров или длительная эксплуатация в максимальных режимах приведет к гарантированному выходу устройства из строя.

Производитель приводит эти справочные характеристики для температуры окружающей среды не более +25 градусов.

Импортным полным аналогом является BU204, BU2506DF, 2SD380
Варианты с близкими техническими характеристиками, но в другом корпусе: BU2506DF, BU706D, BU706, BU506D, BU506, BU506DF, 2SD1738, но перед фактом замены сравнивайте нужные вам справочные параметры из datashеet

Из измерительного оборудования для проверки полупроводникового транзистораа КТ838А нам потребуется только обычный мультиметр, который необходимо переключить в режим омметра или в режим проверки диодов.

Проверка биполярных приборов основана на том, что они имеют два n-p перехода, поэтому КТ838А можно представить как два диода, общий вывод которых – база. Для n-p-n структуры эти два эквивалентных диода соединены с базой анодами, а для p-n-p катодами. Устройство считается исправным, если исправны оба перехода.

При работе с транзистором придерживайтесь следующих мер безопасности: Не эксплуатируйте его с напряжением выше 20 Вольт и нагрузкой более 700 мА; Используйте подходящий базовый резистор, ограничивающий ток базы до требуемого значения из справочника; Не подвергайте его нагреву свыше 150 градусов по Цельсию, чтоб не вывести радиокомпонент из строя.

Регулируемый источник переменного тока, данную схему сможет собрать даже начинающий электронщик.

Выпрямленное диодным мостом напряжение сглаживается электролитическим конденсатором. При помощи потенциометра R2 регулируем базовый ток транзистора VТ1, а значит и его сопротивление в цепи переменного тока. R1 является токовым ограничителем. Диод VD3 защищает базу от напряжения отрицательной полярности. Изменяя коллекторный ток, мы меняем ток и в нагрузке. В диодном мосте VD1 используется четыре элемента типа Д223, VD3 это Д226Б. Электролит С1 имеет емкость 200 мкФ и рассчитан на напряжение минимум 16 В. R2 - 1 кОм. Трансформатор Т1 на мощность от 12 до 15 Вт заимствуется из устаревших устройств бытовой техники. Напряжение на его вторичке должно быть 6 — 10 В. Транзистор обязательно должен быть установлен на радиатор.

Приводится точная масса содержания драгметаллов: золота, серебра, платины и металлов платиновой группы (МПГ) на единицу изделия в граммах. Золото : 0,0007237, Серебро: 0.0 Платина: 0.0 грамма. Поэтому данный транзистор представляет средний интерес у скупщиков лома.

Цена: около 230 рублей за штуку.

Характеристики транзистора КТ838А

Основные технические характеристики транзистора КТ838А:

Структура транзистора: n-p-n;
Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 12,5 Вт;
fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 1500 В;
Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 1 мА (1500В);
h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 6;
Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 170 пФ;
Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,1 Ом

Технические характеристики

Ниже перечислены максимальные значения параметров для КТ940А. Не рекомендуется превышать их во время его эксплуатации. При этом, температура корпуса (Т_К) должна находиться, в пределах диапазона от -45 до + 45 ОС.

постоянное напряжение: К-Б до 300 В; К-Э до 300 В; Э-Б до 5 В;
ток коллектора до 100 мА; импульсный до 300 мА (при tu ≤ 30 мкс, Q ≥10);
ток базы до 50 мА;
рассеиваемая мощность коллектора : до 1.2 Вт; с дополнительным радиатором до 10 Вт;
максимальный нагрев p-n-перехода до +150 ОС;
тепловое сопротивление кристалл-среда 104 ОС/Вт.

Аналоги

У транзистора есть зарубежная замена: BF459, BF458. С похожими параметрами будут следующие: 2SC1569, 2SC2068, 2SC2229, 2SC2242, 2SC2456Б, 2SC2482, 2SC3271, 2SC3272, BF298, BF299, BF338, BF422, BF470, BF471, BF617. Из отечественных аналогов для кт940а в качестве замены, может подойти КТ605БМ. Так же попробуйте использовать устройства из той же серии: KT940Б, KT940В. Вместе с тем стоит учитывать, что это очень редкие экземпляры и у них более низкие предельно допустимые значения по напряжению.

Технические характеристики

Как уже говорилось ранее, что технические характеристики КТ315Г сделали его одним из лучших в серии по коэффициенту усиления (до 350 H_21Э). А способность пропускать через себя большое напряжение (до 35 В) делает его привлекательным для применения в разных схемах. Приведем его максимальные эксплуатационные значения:

предельное постоянное напряжение между: К-Э до 35 В (при R_БЭ =10 Ом); Б-Э до 6В;
ток коллектора до 100мА;
мощность рассеивания до 150 мВт;
тепловое сопротивление 0.67 °C/ мВт;
температура кристалла до +120 °C;
граничная частота (в схемах с общим эмиттером) от 250 МГц;
емкость коллекторного перехода менее 7 пФ;
усиление по току H_21Э от 50 … 350;
интервал рабочих температур -60 … +100 °C.

Электрические параметры

Типовые электрические параметры КТ315Г представлены в таблице и характерны для всех из этой серии. Данные взяты прямо из datasheet на устройство. Значения замерены производителем при температуре Т_{окр. =}+25°C и для определенных режимов работы, если не указано иного.

Комплементарная пара

Комплементарной парой является КТ361Г. Это транзистор с аналогичными параметрами, но с противоположной по проводимости PNP-структурой. Выпускается для совместной работы с рассматриваемым устройством для различных каскадных схемах усиления сигнала.

Аналоги

Наиболее часто в качестве аналога для КТ315Б рекомендуют использовать КТ3102Г или улучшенный КТ315Г1. Это более современные модели, с меньшим уровнем шумов и большим коэффициентом усиления по току. Из зарубежных можно рекомендовать следующие: 2SC380, 2SC388, 2SC634, 2SC641, BFP722.

Режимы работы в схеме с ОЭ

Работу полупроводниковых устройств интересно анализировать с помощью входных/выходных вольт-амперных характеристик (ВАХ). На них видно изменение значений параметров, от которых зависит его состояние: в каких случаях он открывается, когда происходит усиление сигнала и др. На рисунке представлены графики ВАХ для схемы включения КТ315Г с общим эмиттером (ОЭ), на её выход подано постоянное питание Uп. Разберемся как она работает в таком режиме.

Если транзистор используется в качестве электронного ключа, то в закрытом состоянии (режим отсечки) базовое напряжение на входе (U_БЭ) не должно превышать 0.5 В. Токи базы I_Б и коллектора I_К незначительные, т.е. практически отсутствуют.

Для открытия транзистора (режим насыщения) необходимо поднять входное напряжение U_БЭ с 0.6 до 0.8В. Этим нужно добиться увеличения базового тока I_Б максимум до 2 мА, путем снижения сопротивления переменного ограничительного резистора R_Б. При этом I_К может расти до 100 мА, а U_КЭ на p-n-переходе должно находится на уровне до 0.4 В.

В промежутке между открытым и закрытым состоянием транзистор используется как усилитель слабых сигналов – активный режим. Используя эту информацию можно создавать интересные схемы с этим устройством. Например такие, как в представленном видеоролике.

Цоколевка

Распиновка у серии КТ825 (он же 2Т825) представлена на рисунке. В первую очередь она зависит от корпусного исполнения устройства. В настоящее время этот транзистор производятся в двух типах корпусов: металлическом со стеклянными изоляторами КТ-9 (ГОСТ 18472-88) и пластиковом ТО-220.

Существуют и бескорпусные версии этого транзистора. Они выпускаются в виде кристаллов неразделенных на пластине с контактными площадками для монтажа внутри гибридных интегральных микросхем. Масса кристалла без герметичной упаковки и выводов не превышает 0,025 гр. Такие устройства представлены у производителей с маркировкой на этикетке — 2Т825A-5.

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
КТ838А	BU204, BU706D 1 , BU706 1 , BU506D 1 , BU506, 2SD380, BU506DF 1 , 2SD1738 1 , 2SD1737 3 , S518T *2
КТ838Б	BU208, STI13006 1 , SGSF425 3 , SGSF424 3 , SGSF324 3 , BU207 *2
Структура	—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_{K max,}P * _{K, τ max},P ** _{K, и max}	КТ838А	90 °C	12.5*	Вт
КТ838Б	—	12.5*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	f_гр, f * _h21б, f _h21э, f * _max	КТ838А	—	≥3	МГц
КТ838Б	—	≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_{КБО проб.,} U * _{КЭR проб.,} U ** _{КЭО проб.}	КТ838А	—	1500	В
КТ838Б	—	1200
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	U_{ЭБО проб.,}	КТ838А	—	5; 7	В
КТ838Б	—	5; 7
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{K max,} I * _{К , и max}	КТ838А	—	5(7.5*)	А
КТ838Б	—	5(7.5*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_КБО, I * _КЭR, I ** _КЭO	КТ838А	1500 В	≤1*	мА
КТ838Б	1200 В	≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h_21э, h * _21Э	КТ838А	(5 В; 3.5 А)	≥4*
КТ838Б	(5 В; 3.5 А)	≥4*
Емкость коллекторного перехода	c_к, с * _12э	КТ838А	10 В	170	пФ
КТ838Б	10 В	170
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r_{КЭ нас}, r_{БЭ нас, К} * _у.р.	КТ838А	—	≤1.1	Ом, дБ
КТ838Б	—	≤1.1
Коэффициент шума транзистора	К_ш, r * _b, P ** _вых	КТ838А	—	—	Дб, Ом, Вт
КТ838Б	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ_к, t_рас, t * _выкл, t *** _пк(нс)	КТ838А	—	≤10* мкс; t_сп≤1.5; ≤10* мкс	пс
КТ838Б	—	≤10* мкс; t_сп≤1.5; ≤10* мкс

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Характеристики

Основные технические параметры кт838а:

Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная) при использовании теплоотвода при температуре от -45 0 С до +25 0 С — 12,5 Вт.
Статический коэффициент передачи тока (при U_кэ=5 В, I_к=50 мА) не менее — 6.
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при U_кэ=20В, I_к=0,3А не менее — 3 МГц.
Предельно допустимое напряжение коллектор-база — 1500 В.
Предельно допустимый постоянный ток коллектора — 5 А.
Обратный ток коллектор-эмиттер (при Т_к = +25 0 С, U_кэ=1500 В, U_бэ=0) — 1 мА.
Типовое значение емкости коллекторного перехода при U_кб=170 пФ

Также у транзистора кт838а есть предельные значения, которые он может выдержать разово в короткий промежуток времени, если при неоднократном измерении одного из указанных параметров у вас любой из них совпадают или превышают значение из таблицы, то стоит проверить всю схему на неисправность.

Применение в блоке питания

Рассматриваемый блок питания (БП) подойдет для маломощных приборов, например часов или карманных приемников. Его основное преимущество — это небольшие размеры. Вся конструкция может поместиться внутри корпуса электрической вилки.

БП работает от электрической сети напряжением от 100 до 250 В. На выходе, в зависимости от используемого стабилизатора, может быть от 5 до 12 В. При получении напряжении с блока равного 5 В, номинальный ток через нагрузку будет 20 мА, а предельно возможный до 100 мА. На рисунке показана принципиальная электрическая схема такого БП.

VT2 может быть любым из серии КТ3102, а также возможно использовать иностранные аналоги, например BCW60D. VT1 и VT3 (КТ940А) меняют иногда на КТ969А. В качестве VT4 используют КТ969А, а VT5 — BF459. Диоды VD2 и VD3 должны отвечать следующим требованиям: прямой ток более 100 мА, обратное напряжение выше 20 В.

Применение

На транзисторе КТ838 можно собрать регулируемый источник переменного тока. В данной схеме его включают последовательно с нагрузкой. Преимущество данной схемы, перед тиристорными, заключается в следующем: отсутствие дорогостоящих деталей, синусоидальное напряжение на выходе, простота схемы, отсутствие дефицитных деталей, во время работы не создает помех в электросеть.

Данный регулируемый источник переменного тока можно использовать вместо лабораторного автотрансформатора. С его помощью можно регулировать температуру паяльника, скорость вращения электродвигателя. Данный прибор можно использовать для регулирования напряжения, как при активной, так и при реактивной нагрузке.

При работе в такой схеме транзистор КТ838 выделяет много тепла и поэтому возникает проблема с его отводом.

Диодный мост VD1 обеспечивает протекание прямого тока через транзистор при любом полупериоде переменного напряжения сети. Выпрямленное диодным мостом VD2 напряжение сглаживается электролитическим конденсатором С1. При помощи переменного резистора R2 регулируется ток базы транзистора VТ1, а значит и его сопротивление в цепи переменного тока. Резистор R1 выступает в роли ограничителя тока. Диод VD3 нужен для того, чтобы напряжение отрицательной полярности не попало на базу транзистора. Таким образом, регулируя напряжение на базе, мы управляем сопротивлением транзистора, а значит и током в коллекторной цепи. Изменяя ток коллектора, мы меняем ток нагрузки.

В диодном мосте VD1 используется четыре диода Д223. Для диодного моста VD2 можно использовать диоды КЦ405А. Диод VD3 это Д226Б. Электролитический конденсатор С1 имеет емкость 200 мкФ и рассчитан на напряжение 16 В. Переменный резистор R2 обязательно должен быть проволочным ППБ15 или ППБ16 мощностью не менее 2,5 Вт. Его сопротивление 1 кОм. Трансформатор Т1 рассчитывается на мощность от 12 до 15 Вт. Напряжение на вторичной обмотке трансформатора 6 — 10 В. Транзистор должен быть установлен на радиаторе площадью не менее 250 см 2 .

Чтобы увеличить мощность регулируемого источника переменного тока, нужно заменить транзистор VТ1 и диоды, используемые в диодном мостике VD1. При замене транзистора КТ838 на КТ856 можно будет подключать нагрузку 150 Вт, при замене на КТ834 — 200 Вт, КТ847 — 250 Вт.

Данный регулируемый источник тока гальванически связан с электрической сетью. Поэтому его корпус должен быть сделан из диэлектрика, а на переменный резистор R2 нужно надеть изолированную ручку.

Продолжение экспериментов с усилителем JLH.
Тест отечественных транзисторов, которые есть почти у каждого радиолюбителя.
В этом обзоре ещё больше занудства.

Часть 1. УМЗЧ JLH 1969. Транзисторы 2SC5200 vs 2N3055 в выходном каскаде.

Транзисторы, которые были установлены на первом этапе экспериментов:
VT1 — 2N5401
VT2 — TIP41C
VT3, VT4 — 2SС5200 (2N3055)

По причине того, что приходится сидеть дома и есть какое-то количество свободного времени, из закромов были извлечены запасы отечественных транзисторов:

— пара кт864 (отбраковка с низким h21э )
— кт819
— кт808 (из усилителя Орбита-002, когда был выкинут аналог Квад-405; без особых причин, просто так захотелось)
— кт838 (высоковольтные; интересно попробовать, а вдруг… )
— кт829 (составные, т.е. мимо)
— кт805
— кт8101 (в далёком приближении аналог 2sc5200)

Сначала была запаяна пара КТ819ВМ (из одной партии 1984 года выпуска).
Сразу же была получена генерация на выходе.
Целый день (20.11.2020) был потрачен, чтобы победить эту генерацию: всё безрезультатно.

Примечание: в попытках убрать генерация транзистор VT1 был заменён на КТ502В.

На следующее утро, освободившись из объятий музы, снова добрался до паяльника.
Включил JLH от 12 В аккумулятора (обычный аккумулятор 7 А*ч от компьютерного бесперебойника.)
И произошло чудо: генерация исчезла!

Далее мне представлялось два пути продолжения замеров:
— от аккумулятора 12 В
— от классического БП (трансформатор, мост, кучка электролитов)

Пока аккумулятор заряжался (на момент волшебного ~~облегчения~~ включения он был почти разряжен), час времени был потрачен на поиск подходящего трансформатора. Им оказался ТН36 на 30 Вт.
Поигрался с соединением обмоток: удалось получить около 11,6 В при токе 1,5 А.
Конденсатор после моста 10000 мкФ. Оказалось мало: пульсации по питанию были неприемлемы.

Начал перебирать в уме, какие БП водятся в доме:
— зверинец разных 12 В 2 А
— сетевой БП от ноутбука asus 19 В 3,15 А (штеккер оказался стандартным ф5,5 мм )

В порядке эксперимента (чисто на авось) подключил БП от ноутбука к УМЗЧ JLH: на выходе нет никакой генерации, всё чисто.
Поэтому продолжил выполнение замеров именно с ним.

Для проведения замеров усилителя был установлен режим 2 А (напряжение питания 19 В ).
Нагрузка 4 Ом. Синусоида 1 кГц на входе УМЗЧ.

1. Транзисторы КТ819ВM.
Выходное напряжение ~4 В (4 Вт на нагрузке):

Коэффициент гармоник Кг=0,75 %

Выходное напряжение ~2 В (1 Вт на нагрузке):

Коэффициент гармоник Кг=0,37 %

Фото с места проведения замеров:

На двух радиаторах закреплены кт819 и кт864. Подключена, естественно, только одна пара.

Далее всё рутинно: проводники перепаиваются на следующую пару транзисторов, подстраивается ток на 2 А и 1/2 питающего напряжения (т.е. 9,5 В ) в точке соединения эмиттер VT3 — коллектор VT4 выходных транзисторов.

Обнаружилось, что подстроечный резистор R2 (подстройка 1/2 питающего напряжения) находится почти в крайнем положении (на максимальном значении 100 кОм).
Поэтому резистор R1 был заменён на 100 кОм.

2. Транзисторы КТ864А имели коэффициент передачи по току около 40, поэтому не получилось установить ток 2 А (только 1,2 А). Поэтому замеры с данной парой не проводились (по всей видимости это отбраковка).

3. Транзисторы КТ808АМ.
Выходное напряжение ~4 В (4 Вт на нагрузке):

Коэффициент гармоник Кг=0,31 %

Выходное напряжение ~2 В (1 Вт на нагрузке):

Коэффициент гармоник Кг=0,12 %

4. Транзисторы КТ838А.
Ситуация с ними была аналогична, как с КТ864А. Но поскольку очень хотелось увидеть хоть какие-то цифры,
был установлен ток 1,2 А.
Выходное напряжение ~2 В (1 Вт на нагрузке):

Коэффициент гармоник Кг=2,61 %

Выходное напряжение ~1 В (0,25 Вт на нагрузке):

Коэффициент гармоник Кг=1,27 %

5. Транзисторы КТ805Б.
Выходное напряжение ~4 В (4 Вт на нагрузке):

Коэффициент гармоник Кг=0,46 %

Выходное напряжение ~2 В (1 Вт на нагрузке):

Коэффициент гармоник Кг=0,11 %

Фото с места событий:

6. Транзисторы КТ8101А.
Выходное напряжение ~4 В (4 Вт на нагрузке):

Коэффициент гармоник Кг=0,25 %

Выходное напряжение ~2 В (1 Вт на нагрузке):

Коэффициент гармоник Кг=0,11 %

С последней парой (КТ8101А) были выполнены последующие замеры.

Шумовая полка УМЗЧ JLH (вход закорочен, питание 19 В от импульсного ноутбучного БП):

Total Power = минус 78,97 дБ

Далее перестройка режима на 12 В, ток 1,25 А.

Шумовая полка УМЗЧ JLH (вход закорочен, питание 12 В от импульсного сетевого БП):

Total Power = минус 78,7 дБ (среднее значение)

Шумовая полка УМЗЧ JLH (вход закорочен, питание 12 В от аккумулятора):

Total Power = минус 79,2 дБ (среднее значение)

Выходное напряжение ~2 В (1 Вт на нагрузке):

Коэффициент гармоник Кг=0,05 %
Пруф:

10. Выводы:
— сошли с дистанции: КТ864А (отбраковка) и КТ838А
— в порядке уменьшения Кг (т.е. в порядке улучшения)
КТ819ВМ
2N3055 (TUNGSRAM)
КТ805Б
КТ808АМ
КТ8101А
2SC5200
— по значению Total Power аккумулятор обошёл импульсные БП аж на целых 0,5 дБ (при уровне шумовой полки -120 дБ); имхо, смехотворная разница; поэтому для себя выбираю импульсный БП 19 В
— выбор (проверка на пригодность) импульсного БП — методом прямого перебора (включить усилитель с конкретным БП, посмотреть выход осциллографом и спектроанализатором)

Читайте также: